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20+主流廠商上黑硅 單面制絨使阿特斯黑硅產(chǎn)能提升至7.2GW

來源:新能源網(wǎng)
時間:2019-01-16 09:08:53
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20+主流廠商上黑硅 單面制絨使阿特斯黑硅產(chǎn)能提升至7.2GW1月9日下午,由亞洲光伏產(chǎn)業(yè)協(xié)會、保利協(xié)鑫能源控股有限公司聯(lián)合主辦的第四屆光伏產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新合作高峰論壇在蘇州舉行。阿特斯

1月9日下午,由亞洲光伏產(chǎn)業(yè)協(xié)會、保利協(xié)鑫能源控股有限公司聯(lián)合主辦的第四屆光伏產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新合作高峰論壇在蘇州舉行。阿特斯陽光電力集團有限公司技術集成部高級總監(jiān)王栩生博士應邀在會上作《高效多晶技術與戰(zhàn)略》主旨報告。

20+主流廠商上黑硅 單面制絨使阿特斯黑硅產(chǎn)能提升至7.2GW

王栩生博士主要觀點認為

·從砂漿切片到金剛線切片,單刀切割時間7—9小時降到1—2小時,切片成本有7毛錢左右的下降。

·因為導入單面制絨,2018年,阿特斯黑硅產(chǎn)能從4.5GW到7.2GW,增長幅度很大。有20個主流的廠家和阿特斯一起做黑硅,全國近200條黑硅線,這對整個行業(yè)是有益的。

·黑硅有效控制了J02這一參數(shù),弱光效應更好。全天的發(fā)電時段中,清晨和傍晚,黑硅發(fā)電更好一些。

·在多晶黑硅的基礎上疊加了PERC,是一個1+1大于2的組合。在組件工藝上面,約有15瓦左右的提升。

·單晶LeTID如果控制不好的話,比多晶更嚴重。

·鑄錠單晶效率將達到22%。

·金剛線切割、黑硅、PERC、雙面組件等技術是降本增效、促進平價上網(wǎng)的有力武器。

感謝主辦方的邀請,我代表阿特斯做高效多晶技術與戰(zhàn)略方面的報告。

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內(nèi)容三部分,第一個是公司簡介。

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然后講講多晶P3—P4—P5的技術發(fā)展路線。

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講阿特斯的P3之前,還是講一下金剛線切片和砂漿切片的區(qū)別,2016—2017年,從砂漿切片到金剛線切片,帶來的好處顯而易見,單刀切割時間7—9小時降到1—2小時,硅的Kerfloss從48%到33%,COD大幅度下降,切片成本有7毛錢左右的下降。

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但是金剛線切片并未應用起來,主要是電池端缺乏制絨的技術,阿特斯剛好內(nèi)部從2012年開始量產(chǎn)一個濕法黑硅,這兩者剛好可以完美匹配起來,可以看到阿特斯的切片2016—2017年有較大的發(fā)展,從原先大概只有幾百個兆瓦到2017年4個吉瓦,到2018年拓展到5個吉瓦,所以金剛線切片硅片和高效率電池是捆綁在一起的。

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阿特斯的黑硅是2009年在內(nèi)部做研發(fā)項目啟動,2012年在實驗室有一定規(guī)模的摸索研究,2013年中試線試產(chǎn),2014年量產(chǎn),2015年拿到了中國原創(chuàng)技術獎,2017年達到吉瓦水平。

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前年,阿特斯所有的電池產(chǎn)能都轉化為黑硅的產(chǎn)能,這是從量產(chǎn)一開始,電池效率爬坡的過程圖,現(xiàn)在好的線做到19.35%多晶電池效率。產(chǎn)能也是有了發(fā)展,2018年黑硅產(chǎn)能從4.5GW到7.2GW,這是因為導入單面制絨,產(chǎn)能增長。電池產(chǎn)能沒有這么大,實際上制絨產(chǎn)能是有富余的。

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阿特斯以后,有很多的廠家來做黑硅技術,這是好的事情,對整個光伏產(chǎn)業(yè)是有益的。初步統(tǒng)計了一下,有20個主流的廠家跟隨阿特斯做黑硅,阿特斯的黑硅是依托于我們自己合作的廠家深度定制了設備,現(xiàn)在市面上有9個廠家可以提供類似于黑硅的設備,生產(chǎn)線194條,這一數(shù)據(jù)可能不完全準確,因為這是幾個月前統(tǒng)計的數(shù)據(jù)。

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黑硅上面實際上又有了單面制絨的技術,這是2017年底所做的,2018年全面推廣。單面制絨有效降低了化學品的消耗,還有純水的消耗,這對工藝的推廣是非常有益的。

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游達博士剛才引進了這樣一個數(shù)據(jù),就是多晶P3在戶外發(fā)電的實際情況。在實際的戶外發(fā)電中,黑硅還是有1%—1.5%的發(fā)電優(yōu)勢。我們將這個歸功于在電池端有一個參數(shù)叫J02,黑硅有效控制了J02這一參數(shù),J02越小,電池的弱光效應越好,到組件端也有更好的弱光。全天的發(fā)電中,清晨和傍晚,黑硅發(fā)電更好一些。黑硅優(yōu)先腐蝕了缺陷處,把一些雜質蓋掉,就把J02改善了,這是黑硅發(fā)電的優(yōu)勢所在。

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過去阿特斯也提出過,黑硅不應該都用于多晶上面,也可以在單晶和鑄錠單晶,拓展到多晶上面,鑄錠單晶就能拿下來,最后把黑硅做成一個通用的技術。提出來并不容易做到,阿特斯做了一些探索性的工作,后面會介紹一下。

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在P3以后,阿特斯又做了P4,這個就是在多晶黑硅的基礎上疊加了PERC,我們認為這是一個1+1大于2的組合,實際上我們量產(chǎn)效率做到20.4%—20.5%。在組件工藝上面,大概也有15瓦左右的提升,這也是相比較而言。

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