光伏行業(yè)的2017：瘋狂的新技術(shù)迭代

:前言：這兩天多人問(wèn)我“我國(guó)的硅片產(chǎn)能已經(jīng)如此之大，為什么大企業(yè)還瘋狂擴(kuò)產(chǎn)？難道連我們都看到的產(chǎn)能過(guò)剩，那些大企業(yè)的決策者看不到？”

我曾經(jīng)也有類似的疑惑，后來(lái)發(fā)現(xiàn)：擴(kuò)產(chǎn)的背后，是新技術(shù)迭代的推動(dòng)！

新增產(chǎn)能，都是采用新技術(shù)，以更便宜的價(jià)格，生產(chǎn)出更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品，在市場(chǎng)更具有競(jìng)爭(zhēng)力。如果自己不上采用新技術(shù)的產(chǎn)能，那舊產(chǎn)能的產(chǎn)品無(wú)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，就會(huì)被其他企業(yè)革命；與其等別人革命，還不如自我革命！

之前，我們只聽說(shuō)單晶硅、多晶硅；現(xiàn)在，市場(chǎng)涌現(xiàn)一大堆新名詞：perc、半片、MBB、MWT、疊瓦、雙面......

在新技術(shù)迭代大潮的裹挾下，上新技術(shù)的產(chǎn)能是必須的。我相信，這是大多數(shù)企業(yè)擴(kuò)產(chǎn)能的根本原因。因此，作為技術(shù)迭代如此之快的高科技產(chǎn)業(yè)，光伏制造業(yè)必須保持較高的利潤(rùn)率，否則將無(wú)資金支持如此快速的技術(shù)革新。

一、不同技術(shù)路線的主流功率及產(chǎn)能情況

2017年，已經(jīng)成熟或即將成熟的幾項(xiàng)提升效率的技術(shù)分別為Perc技術(shù)、半片技術(shù)、MBB多主柵技術(shù)。理論上來(lái)講，這幾項(xiàng)技術(shù)都是兼容性技術(shù)，既可以使用在單晶硅片上，也可以應(yīng)用在多晶硅片上，但疊加效果不同。

傳統(tǒng)普通多晶組件功率為270W，普通單晶組件功率為285W，功率差為15W；當(dāng)各自疊加一系列新技術(shù)以后，功率差會(huì)進(jìn)一步拉大。2018年各種技術(shù)路線的組件功率分布如表1所示。

1）添加劑黑硅

當(dāng)前多晶應(yīng)用金剛片以后，主要采用添加劑技術(shù)來(lái)解決反射率過(guò)高的問(wèn)題，所以明年多晶組件的出貨的主要功率均為270~275W之間的產(chǎn)品，產(chǎn)能可以高達(dá)40GW以上。

2）濕法黑硅

干法黑硅技術(shù)路線儲(chǔ)備很久，但是成本下不來(lái)（每片成本＞0.3元），干法黑硅這一技術(shù)路線很可能面臨淘汰的命運(yùn)；保利協(xié)鑫主推的濕法黑硅技術(shù)隨著新一代TS+黑硅工藝的推出，成本大幅下降的同時(shí)性能又有所提升，主流功率應(yīng)該在275W。今年黑硅設(shè)備擴(kuò)張很快，各個(gè)廠家黑硅設(shè)備已經(jīng)突破200臺(tái)，對(duì)應(yīng)總產(chǎn)能超過(guò)16GW。

3）普通單晶組件

普通單晶組件的功率可達(dá)到285W，產(chǎn)能將達(dá)到30GW。

4）Perc電池技術(shù)

Perc電池技術(shù)是一種兼容性技術(shù)，既可以用在多晶硅片上，也可以用在單晶硅片上。單晶perc電池普遍功率提升在20W左右；而多晶硅片疊加Perc技術(shù)以后，則只能提升15W左右，而且目前還有衰減的問(wèn)題沒(méi)有有效解決。因此新增Perc電池產(chǎn)能明顯青睞于選擇單晶硅片。

2018年，單晶perc組件產(chǎn)能將達(dá)到30GW；用黑硅技術(shù)處理后的多晶perc組件產(chǎn)能將達(dá)到5GW。

5）N型組件

2017年，N型組件的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化也得到了較大的進(jìn)步。“N型+pert+半片”可使組件功率達(dá)到320W，2018年產(chǎn)能預(yù)計(jì)為2~3GW；“N型+疊瓦”可使組件功率達(dá)到330W以上，2018年產(chǎn)能預(yù)計(jì)為1GW以內(nèi)；

6）小結(jié)

通過(guò)上述分析可以看到，半片、Perc、多主柵等技術(shù)疊加在單晶硅片上能帶來(lái)更加明顯的提升。當(dāng)各自疊加一系列新技術(shù)以后，多晶組件功率可以做到300W，單晶組件功率會(huì)達(dá)到330W，疊加一系列新技術(shù)以后單、多晶組件的功率差會(huì)拉大到30W。

單晶硅片的產(chǎn)能在2017農(nóng)歷年年底前就會(huì)達(dá)到38GW；半片、MBB多主柵等技術(shù)剛開始流行，產(chǎn)能遠(yuǎn)小于單晶硅片產(chǎn)能。

鑒于新技術(shù)疊加效果更好，只要單、多晶硅片能保持合理價(jià)差，擁有最新最先進(jìn)Perc、半片、多主柵產(chǎn)能的廠家會(huì)優(yōu)先選用單晶硅片。而300W的多晶黑硅Perc+半片+多主柵組件可能只會(huì)存在于理論當(dāng)中，現(xiàn)實(shí)中不會(huì)有廠家把一系列先進(jìn)產(chǎn)能疊加于效果不佳的多晶硅片上。