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用于 GaN 功率器件的集成柵極驅(qū)動器
來源:新能源汽車網(wǎng)
時(shí)間:2023-07-14 16:02:03
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用于 GaN 功率器件的集成柵極驅(qū)動器 為了開發(fā)集成柵極驅(qū)動器,一組研究人員1在商用 650V GaN-on-Si 平臺上實(shí)現(xiàn)了增強(qiáng)型 (E) 模式 GaN 功率開關(guān)和基于
為了開發(fā)集成柵極驅(qū)動器,一組研究人員1在商用 650V GaN-on-Si 平臺上實(shí)現(xiàn)了增強(qiáng)型 (E) 模式 GaN 功率開關(guān)和基于 GaN 的柵極驅(qū)動器的單片集成。這種集成消除了額外的處理步驟,簡化了制造過程。柵極驅(qū)動器采用低壓 E/D 模式 HEMT 構(gòu)成柵極驅(qū)動電路,通過整形和傳輸輸入 PWM 信號實(shí)現(xiàn)控制。
為了實(shí)現(xiàn)可靠、高效的運(yùn)行,我們考慮了多種設(shè)計(jì)因素。柵極驅(qū)動電壓確定為6-7V,以確保電源開關(guān)完全導(dǎo)通。開啟 GaN 功率晶體管所需的柵極電荷(即約 2 nC)明顯低于硅晶體管,從而提高了效率。
圖1:GaN功率器件電路Gen-1和Gen-2的比較(1)
柵極驅(qū)動器的芯片級特性表明其能夠高效驅(qū)動 650V/130mΩ GaN 功率晶體管。柵極驅(qū)動器的靜態(tài)電流約為 6 mA,從而實(shí)現(xiàn)的靜態(tài)功耗。傳播延遲測量表明,由于橫向 GaN 功率器件具有優(yōu)異的電流密度和較小的固有電容,因此快速開啟和關(guān)閉時(shí)間分別僅為 2.9 ns 和 1.7 ns。
負(fù)柵極偏置可防止柵極源電容過度充電
在導(dǎo)通過程中,例如0至50伏,高峰值電流會在很短的時(shí)間內(nèi)注入柵極節(jié)點(diǎn),這可能導(dǎo)致柵源電容充電以及不必要的導(dǎo)通高側(cè)晶體管。佩爾森解釋了如何向柵極施加負(fù)偏壓而不是零電壓來防止柵源電容充電,從而確保高側(cè)晶體管保持關(guān)閉狀態(tài)。對于 650V HV GaN 晶體管,約 -2.5 至 -3 伏的負(fù)偏壓足以實(shí)現(xiàn)所需結(jié)果并防止過度充電。
圖 2:負(fù)偏置電源的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器原理圖和物理設(shè)計(jì)(Infineon Technologies)
然而,應(yīng)該注意的是,提供更多的負(fù)柵極偏壓可以提供增加的余量并防止錯(cuò)誤導(dǎo)通。盡管如此,它也會增加第三象限導(dǎo)通期間的二極管壓降。因此,必須在提供足夠的負(fù)偏壓和保持高效運(yùn)行之間取得平衡。
化電源環(huán)路電感作為設(shè)計(jì) GaN 柵極驅(qū)動器的一步
Persson 強(qiáng)調(diào),為了限度地減少電源環(huán)路電感,必須使用表面貼裝封裝,因?yàn)橥自枰谳^低頻率下運(yùn)行,以減輕瞬時(shí)電感器電壓的過沖。這限制了 GaN 的高頻能力,因此表面貼裝封裝,這在圖 2 中英飛凌設(shè)計(jì)的子卡中也可以注意到。另一種方法是注意電流流向何處,以化相互返回電流電感。
柵極驅(qū)動電流環(huán)路與主電流共享一條電感路徑,主電流可能在數(shù)十安培的范圍內(nèi),并通過路徑的電感產(chǎn)生變化的電流(dI/dt)。這種變化的電流會在電感上感應(yīng)出電壓,這可能會影響所施加的柵極電壓并導(dǎo)致開啟和關(guān)閉時(shí)間變慢。它還可能導(dǎo)致振蕩問題并影響系統(tǒng)的整體性能。因此,通過仔細(xì)設(shè)計(jì)電路的布局和布線,可以設(shè)計(jì)返回電流路徑以化互感,并幫助設(shè)計(jì)用于 GaN 功率器件的高效柵極驅(qū)動器。
為了實(shí)現(xiàn)可靠、高效的運(yùn)行,我們考慮了多種設(shè)計(jì)因素。柵極驅(qū)動電壓確定為6-7V,以確保電源開關(guān)完全導(dǎo)通。開啟 GaN 功率晶體管所需的柵極電荷(即約 2 nC)明顯低于硅晶體管,從而提高了效率。
在傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中,由于電源開關(guān)的充電過程,開關(guān)速度較慢。為了克服這一限制,在柵極驅(qū)動器中引入了電荷泵電路。這種方法確保了上拉充電晶體管的恒定電壓(VGS),提高了充電速度并減少了柵極應(yīng)力。新的柵極驅(qū)動器設(shè)計(jì) Gen-II 展現(xiàn)了更高的驅(qū)動能力、軌到軌輸出和高效的 GaN 功率器件開啟,如圖 1 所示。
圖 1:代和第二代 GaN 功率器件電路的比較(1)。圖1:GaN功率器件電路Gen-1和Gen-2的比較(1)
柵極驅(qū)動器的芯片級特性表明其能夠高效驅(qū)動 650V/130mΩ GaN 功率晶體管。柵極驅(qū)動器的靜態(tài)電流約為 6 mA,從而實(shí)現(xiàn)的靜態(tài)功耗。傳播延遲測量表明,由于橫向 GaN 功率器件具有優(yōu)異的電流密度和較小的固有電容,因此快速開啟和關(guān)閉時(shí)間分別僅為 2.9 ns 和 1.7 ns。
負(fù)柵極偏置可防止柵極源電容過度充電
在導(dǎo)通過程中,例如0至50伏,高峰值電流會在很短的時(shí)間內(nèi)注入柵極節(jié)點(diǎn),這可能導(dǎo)致柵源電容充電以及不必要的導(dǎo)通高側(cè)晶體管。佩爾森解釋了如何向柵極施加負(fù)偏壓而不是零電壓來防止柵源電容充電,從而確保高側(cè)晶體管保持關(guān)閉狀態(tài)。對于 650V HV GaN 晶體管,約 -2.5 至 -3 伏的負(fù)偏壓足以實(shí)現(xiàn)所需結(jié)果并防止過度充電。
可以使用簡單的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器來實(shí)現(xiàn)此類柵極驅(qū)動器。該轉(zhuǎn)換器由可調(diào)節(jié)占空比振蕩器或微控制器控制,提供包含所需負(fù)偏置的分流電源。調(diào)整占空比可以控制負(fù)偏壓的幅度。DC-DC 轉(zhuǎn)換器采用電容耦合方式,提供簡單的解決方案,無需額外的穩(wěn)壓器或復(fù)雜的設(shè)計(jì)。圖 2 顯示了此類利用 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的柵極驅(qū)動器的示例配置,展示了英飛凌的緊湊設(shè)計(jì),適合安裝在小卡上。這種配置允許對高側(cè)和低側(cè)晶體管的柵極驅(qū)動器進(jìn)行正偏壓和負(fù)偏壓。通過提供足夠的負(fù)偏壓,可以有效防止誤開通,保證可靠運(yùn)行。
圖 2:負(fù)偏置電源的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器原理圖和物理設(shè)計(jì)(Infineon Technologies)。圖 2:負(fù)偏置電源的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器原理圖和物理設(shè)計(jì)(Infineon Technologies)
然而,應(yīng)該注意的是,提供更多的負(fù)柵極偏壓可以提供增加的余量并防止錯(cuò)誤導(dǎo)通。盡管如此,它也會增加第三象限導(dǎo)通期間的二極管壓降。因此,必須在提供足夠的負(fù)偏壓和保持高效運(yùn)行之間取得平衡。
化電源環(huán)路電感作為設(shè)計(jì) GaN 柵極驅(qū)動器的一步
Persson 強(qiáng)調(diào),為了限度地減少電源環(huán)路電感,必須使用表面貼裝封裝,因?yàn)橥自枰谳^低頻率下運(yùn)行,以減輕瞬時(shí)電感器電壓的過沖。這限制了 GaN 的高頻能力,因此表面貼裝封裝,這在圖 2 中英飛凌設(shè)計(jì)的子卡中也可以注意到。另一種方法是注意電流流向何處,以化相互返回電流電感。
柵極驅(qū)動電流環(huán)路與主電流共享一條電感路徑,主電流可能在數(shù)十安培的范圍內(nèi),并通過路徑的電感產(chǎn)生變化的電流(dI/dt)。這種變化的電流會在電感上感應(yīng)出電壓,這可能會影響所施加的柵極電壓并導(dǎo)致開啟和關(guān)閉時(shí)間變慢。它還可能導(dǎo)致振蕩問題并影響系統(tǒng)的整體性能。因此,通過仔細(xì)設(shè)計(jì)電路的布局和布線,可以設(shè)計(jì)返回電流路徑以化互感,并幫助設(shè)計(jì)用于 GaN 功率器件的高效柵極驅(qū)動器。
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