開關(guān)電源MOS管的工作損耗計算

   耗計算式計算：
    × RDS(on) × K ×
    截止損耗計算：
    × IDSS ×（ 1-Don ）
    會依 VDS(off) 變化而變化，如計算得到的漏源電壓 VDS(off) 很大以至接近 V(BR)DSS 則可直接引用此值。
    開啟過程損耗計算：
    開啟過程 VDS(off_on)(t) 與 IDS(off_on)(t) 交叉波形如上圖所示。首先須計算或預(yù)計得到開啟時刻前之 VDS(off_end) 、開啟完成后的 IDS(on_beginning) 即圖示之 Ip1 ，以及 VDS(off_on)(t) 與 IDS(off_on)(t) 重疊時間 Tx 。然后再通過如下公式計算：
    ×∫ Tx VDS(off_on)(t) × ID(off_on)(t) ×
    關(guān)斷過程損耗
    首先須計算或預(yù)計得到關(guān)斷完成后之漏源電壓 VDS(off_beginning) 、關(guān)斷時刻前的負(fù)載電流 IDS(on_end) 即圖示之 Ip2 以及 VDS(on_off) (t) 與 IDS(on_off)(t) 重疊時間 Tx 。
    然后再通過 如下公式計算：
    ×∫ Tx VDS(on_off) (t) × IDS(on_off)(t) ×
    驅(qū)動損耗的計算：
    × Qg ×
    電容的泄放損耗計算：
    首先須計算或預(yù)計得到開啟時刻前之 VDS ，再通過如下公式進(jìn)行計算：
    × VDS(off_end)2 × Coss ×
    體內(nèi)寄生二極管正向?qū)〒p耗計算：
    利用體內(nèi)寄生二極管進(jìn)行載流的應(yīng)用中（例如同步整流），需要對此部分之損耗進(jìn)行計算。公式如下：
    × VDF × tx ×
    體內(nèi)寄生二極管反向恢復(fù)損耗計算：
    公式如下：
    Pd_recover=VDR × Qrr × fs