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電裝與FLOSFIA研發(fā)功率半導體 α-Ga2O3提升元件性能
電裝與FLOSFIA研發(fā)功率半導體 α-Ga2O3提升元件性能 Microsoft YaHei; font-s
據(jù)外媒報道,電裝與FLOSFIA合作研發(fā)新一代功率半導體設備,旨在降低電動車用逆變器的能耗、成本、尺寸及重量,F(xiàn)LOSFIA是從京都大學分離出來的一家初創(chuàng)公司。
雙方意圖該合作研發(fā)項目提升電動車功率控制單元(power control units)的能效,這是推動電動車推廣的一大核心要素,旨在提供更為安全、可持續(xù)性更高的移動出行方案。
除合作研發(fā)外,電裝還參與FLOSFIA的C輪融資,收購其部分新股。京都大學的Shizuo Fujita教授率先嘗試將剛玉型晶體結構的氧化鎵(gallium oxide,α-Ga2O3)用于半導體元件中。α-Ga2O3半導體的性能要優(yōu)于市面上的其他半導體元件,其能帶隙為5.3 eV,擊穿電場強度(electric breakdown field strength)高,這意味著對高壓應用的耐受能力更強。
2011年,京都大學創(chuàng)建了FLOSFIA,后者如今已成為α-Ga2O3研發(fā)及商業(yè)化的全球領導者,該公司旨在通過互聯(lián)汽車、自動駕駛及電氣化技術創(chuàng)建未來的移動出行方案,電裝對該技術頗感興趣。于是,兩家公司將進一步研發(fā)該技術,并將其用于混動、電動車的車用高壓產(chǎn)品(含半導體產(chǎn)品)。
電裝自2007年開始為混動及電動車提供功率控制裝置(PCUs),該部件采用一款逆變器,旨在控制電池至電動發(fā)電機的供電。為高效利用電能,務必要利用逆變器降低直流向交流轉換過程中的能耗。為此,電裝正在研發(fā)低損耗半導體件。
目前尚未公布該投資相關的財務信息。
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