原子發(fā)射光譜中的自吸系數(shù)是什么？

熱心網(wǎng)友：光譜定量分析的關(guān)系式光譜定量分析主要是根據(jù)分析試樣光譜中待測元素的譜線強度來確定元素的含量（濃度）。某元素的譜線強度I與該元素在試樣中的百分含量c的相互關(guān)系， 或lgI=blgc+lga 式中常數(shù)a與元素的性質(zhì)、試樣的蒸發(fā)和激發(fā)條件，試樣的組成，以及該譜線的躍遷幾率、輻射頻率、激發(fā)電位、弧焰溫度等一系列因素有關(guān)。常數(shù)b為自吸系數(shù)，它是與譜線的自吸性質(zhì)有關(guān)的參數(shù)。當(dāng)某元素濃度很低時，譜線強度不大，譜線沒有自吸現(xiàn)象，b=1；當(dāng)濃度高時，譜線容易出現(xiàn)自吸，b<1，此時I與c關(guān)系復(fù)雜，I-c曲線呈彎曲形狀。由此可見，參數(shù)a與b不僅與實驗條件有關(guān)，而且與待測元素的含量有關(guān)。只有當(dāng)待測元素的含量在一定范圍時，a和b才是常數(shù)。由于試樣的蒸發(fā)、激發(fā)條件，以及試樣組成等的變化，均可使參數(shù)a發(fā)生改變，直接影響譜線的強度。這種變化很難避免，為此應(yīng)用內(nèi)標(biāo)法進行光譜定量分析。首先在待測元素的譜線中選定一條譜線，稱為分析線，其強度以I表示。其次，在待測試樣中，準確地加入某一種元素，稱該元素為內(nèi)標(biāo)元素，選內(nèi)標(biāo)元素的一條譜線，稱為內(nèi)標(biāo)線（比較線），其強度以表示。分析線和內(nèi)標(biāo)線這一對“均稱”的譜線稱分析線對。它們的強度之比I/，稱為相對強度。所謂“均稱”是指分析線對選擇得當(dāng)，當(dāng)某些條件變化的情況下，對分析線和內(nèi)標(biāo)線強度引起同等程度的改變。分析線對的波長應(yīng)相近，而且應(yīng)在乳劑特性曲線的直線部分。根據(jù)分析線對相對強度與分析元素含量的關(guān)系，進行光譜定量分析的方法稱為內(nèi)標(biāo)法。內(nèi)標(biāo)法光譜定量分析的基本關(guān)系式：lgR=lgI/=blgc+lga根據(jù)乳劑特性曲線，對分析線和內(nèi)標(biāo)線強度所引起的黑度S=γ1lgI-i1 =γ2lg-i2因為分析線對是在同一譜片上，γ1=γ2=γ ，i1= i2=iΔS=S-=γlgI/=γ（blgc+lga）這是基于內(nèi)標(biāo)法原理以攝譜法進行光譜定量分析的基本關(guān)系式。在內(nèi)標(biāo)法中，正確選用分析線對有助于提高準確度。選用內(nèi)標(biāo)元素及分析線對一般應(yīng)注意以下幾點：（1） 分析線沒有自吸。（2） 分析線和內(nèi)標(biāo)線的譜線強度、寬度要相近。（3） 分析線和內(nèi)標(biāo)線的波長要相近，以避免乳劑的不均勻所產(chǎn)生誤差。（4） 分析線和內(nèi)標(biāo)線的黑度要落在乳劑特性曲線的直線部分。（5） 分析線和內(nèi)標(biāo)線的背景要小（6） 內(nèi)標(biāo)元素的含量不隨分析元素含量的變化而變化。（7） 分析元素和內(nèi)標(biāo)元素的激發(fā)電位、電離電位要相近。（8） 分析元素和內(nèi)標(biāo)元素的沸點、揮發(fā)性、擴散性要相近，以保證得到形狀相近的蒸發(fā)曲線，提高準確度。http://www.instrument.com.cn/bbs/shtml/20041214/107762/譜線的自吸和自蝕 激發(fā)源中的等離子體有一定的體積，溫度及原子濃度在其各部位分布不均勻。中間溫度高，邊緣溫度低，中心區(qū)域激發(fā)態(tài)的原子多，邊緣基態(tài)或較低能態(tài)的原子較多。某元素的原子從中心發(fā)射某一波長的電磁輻射，必然要通過邊緣到達檢測器，這樣所發(fā)射的電磁發(fā)射就有可能被處在邊緣的同元素基態(tài)或較低能態(tài)的原子所吸收。因此，檢測接收到的譜線強度就減弱了。這種原子在高溫發(fā)射某一波長的輻射，被處于邊緣低溫狀態(tài)的同種原子所吸收的現(xiàn)象稱為自吸。 自吸對譜線中心處的強度影響較大。這是由于發(fā)射譜線的寬度比吸收譜線的寬度來的大的緣故。自吸的程度用自吸系數(shù)b表示。當(dāng)試樣中元素的含量很低時，不表現(xiàn)出自吸，；當(dāng)含量增大時，自吸現(xiàn)象增強，b<1。當(dāng)達到一定的較大含量時，由于自吸嚴重，譜線中心的輻射被強烈的吸收，致使譜線中心的強度比邊緣更低，似乎變成兩條譜線，這種現(xiàn)象成為自蝕。如圖10.27所示。在譜線表上，用標(biāo)r表示有自吸的譜線，用標(biāo)R表示有自蝕的譜線。基態(tài)原子對共振線的自吸最為嚴重，并且常產(chǎn)生自蝕。激發(fā)源中弧焰的厚度越厚，自吸現(xiàn)象越嚴重。不同光源類型，自吸情況不同，直流電弧的蒸氣的厚度大，自吸現(xiàn)象比較明顯。http://col.njtu.edu.cn/zskj/2015/yifen/chapt10/10-4-3-1.html210.192.124.212/200461318187.pdf