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低壓甲烷等離子體發(fā)射光譜診斷

來源:論文學(xué)術(shù)網(wǎng)
時(shí)間:2024-08-18 17:30:50
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低壓甲烷等離子體發(fā)射光譜診斷【摘要】:在CH4/He體系下,利用光學(xué)發(fā)射譜技術(shù),對(duì)螺旋波放電產(chǎn)生低壓甲烷等離子體內(nèi)活性粒子的光學(xué)發(fā)射特征進(jìn)行了原位測量。根據(jù)甲烷離解后產(chǎn)生的所有可能

【摘要】:在CH4/He體系下,利用光學(xué)發(fā)射譜技術(shù),對(duì)螺旋波放電產(chǎn)生低壓甲烷等離子體內(nèi)活性粒子的光學(xué)發(fā)射特征進(jìn)行了原位測量。根據(jù)甲烷離解后產(chǎn)生的所有可能基、團(tuán)的對(duì)稱性、構(gòu)造并分析了甲烷離解的所有可能反應(yīng)通道,進(jìn)一步證實(shí)了CH、Hα、Hβ以及Hγ等碎片粒子的存在。研究了各實(shí)驗(yàn)參量對(duì)活性基團(tuán)CH、Hα、Hβ以及Hγ的發(fā)射譜強(qiáng)度的影響。結(jié)果表明:CH粒子發(fā)射光譜譜線相對(duì)強(qiáng)度隨著射頻功率的增大是先增大而后減小,隨工作氣壓的增大而逐漸減小;隨氣壓及功率的增加,Hα、Hβ以及Hγ相對(duì)強(qiáng)度變化的總體趨勢都是先增加而后減小的。該結(jié)果為等離子體沉積各種薄膜過程的理解及制備工藝參數(shù)的調(diào)整提供了基礎(chǔ)數(shù)據(jù)。 【作者單位】: 四川大學(xué)原子與分子物理研究所 中國工程物理研究院激光聚變研究中心 四川大學(xué)原子與分子物理研究所 中國工程物理研究院激光聚變研究中心 四川大學(xué)原子與分子物理研究所
【關(guān)鍵詞】光學(xué)發(fā)射譜 甲烷等離子體 螺旋波放電
【基金】:中國工程物理研究院重大基金(No.2052)
【分類號(hào)】:O621.2
【正文快照】: 碳?xì)浔∧ぷ?971年被報(bào)道以來[1],由于其具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性質(zhì),一直受到人們的青睞,并對(duì)它作了不少的研究。制備碳?xì)浔∧さ姆椒ê芏?如離子束輔助沉積[2]、離子濺射沉積[3]、等離子體化學(xué)氣相沉積[4]等等,而低壓等離子體化學(xué)氣相沉積(LPP-CVD)是許多薄膜生長的主要方法。

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