超薄ALD層包覆TiO_2光陽(yáng)極增加量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池的量子點(diǎn)吸附量和電荷收集效率（英文）

【摘要】：TiO_2納米晶體具有穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)和合適的能帶結(jié)構(gòu),因而被廣泛應(yīng)用在量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池的光陽(yáng)極材料中.但是,其較多的表面缺陷和顆粒邊界引起的嚴(yán)重復(fù)合限制了電池效率.本文利用原子層沉積法(ALD)在TiO_2光陽(yáng)極膜上沉積一層超薄TiO_2層.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,這層超薄TiO_2層不僅減少了表面缺陷,改善了顆粒間的連接性,阻止了復(fù)合的發(fā)生,提高了電子收集效率,而且通過(guò)表面能的提升,量子點(diǎn)的吸附量增加,光捕獲效率(LHE)也得以提高.因此,基于ALD修飾的TiO_2膜制備的太陽(yáng)能電池的效率達(dá)5.07%,明顯優(yōu)于沒(méi)有ALD修飾的電池(4.03%). 【作者單位】： Institute
【關(guān)鍵詞】： CdS/CdSe atomic layer deposition quantum dots solar cells charge recombination electron collection
【基金】：supported by the National Natural Science Foundation of China (51374029 and 5151101345) the Program forNewCentury Excellent Talents in theUniversity (NCET-13-0668) the Fundamental Research Funds for the Central Universities (FRF-TP14-008C1)
【分類號(hào)】：TM914.4
【正文快照】： INTRODUCTIonAs one of the third generation solar cell,quantum dot solarcells(QDSCs)[1]based on wide bandgap oxide semiconductorsand inorganic quantum dots have attractedextensive research efforts in industry and academia[2,3].QDSCs generally consist of f

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