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微電子所在黑硅(多晶)太陽(yáng)能電池研究上再獲突破

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時(shí)間:2024-08-18 16:23:15
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微電子所在黑硅(多晶)太陽(yáng)能電池研究上再獲突破【摘要】:正近日,中科院微電子所微電子設(shè)備研究室(八室)夏洋研究員帶領(lǐng)科研團(tuán)隊(duì)聯(lián)合嘉興微電子儀器與設(shè)備工程中心在多晶黑硅太陽(yáng)能電池研究

【摘要】:正近日,中科院微電子所微電子設(shè)備研究室(八室)夏洋研究員帶領(lǐng)科研團(tuán)隊(duì)聯(lián)合嘉興微電子儀器與設(shè)備工程中心在多晶黑硅太陽(yáng)能電池研究上再次獲得突破,電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到17.88%,在多晶硅太陽(yáng)能電池研究領(lǐng)域中處于先進(jìn)水平。夏洋研究團(tuán)隊(duì)原創(chuàng)性提出利用等 【關(guān)鍵詞】硅太陽(yáng)能電池 微電子設(shè)備 儀器與設(shè)備 多晶硅 電池轉(zhuǎn)換效率 科研團(tuán)隊(duì) 研究團(tuán)隊(duì) 工程中心 原創(chuàng)性 研究領(lǐng)域
【分類(lèi)號(hào)】:TM914.4
【正文快照】: 近日,中科院微電子所微電子設(shè)備研究室(八室)夏洋研究員帶領(lǐng)科研團(tuán)隊(duì)聯(lián)合嘉興微電子儀器與設(shè)備工程中心在多晶黑硅太陽(yáng)能電池研究上再次獲得突破,電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到17.88%,在多晶硅太陽(yáng)能電池研究領(lǐng)域中處于先進(jìn)水平。夏洋研究團(tuán)隊(duì)原創(chuàng)性提出利用等離子體浸沒(méi)離子注入技術(shù),在

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