原子層沉積氧化鋅應(yīng)用于銅銦鎵硒太陽能電池緩沖層的研究
原子層沉積氧化鋅應(yīng)用于銅銦鎵硒太陽能電池緩沖層的研究【摘要】:用原子層沉積法在鈉鈣玻璃上沉積氧化鋅薄膜,利用場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡和X射線衍射(XRD)等對(duì)樣品表面形貌和物相進(jìn)行分析,結(jié)果
【關(guān)鍵詞】: 原子層沉積 氧化鋅薄膜 銅銦鎵硒太陽能電池 緩沖層
【基金】:廣東省大學(xué)生創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目(1056111031) 廣東省科技計(jì)劃項(xiàng)目(2011A090200084)
【分類號(hào)】:TM914.4
【正文快照】: 0引言原子層沉積(Atomic layer deposition,ALD)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔,在沉積基體上化學(xué)吸附及反應(yīng)并形成沉積膜的一種新方法[1]。在前驅(qū)體脈沖之間需要用惰性氣體(高純N2)對(duì)原子層沉積反應(yīng)腔進(jìn)行清洗,原子層沉積的表面反應(yīng)具有自限性,不斷重復(fù)這種自限制
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