硅納米孔結(jié)構(gòu)在多晶硅太陽能電池中的應(yīng)用

【摘要】：利用金屬輔助化學(xué)刻蝕及堿修飾方法在多晶硅上制備了硅納米孔結(jié)構(gòu),比較了硅納米孔結(jié)構(gòu)和酸制絨常規(guī)多晶硅硅片在反射、內(nèi)量子效率、磷濃度分布以及電池性能等方面的情況。研究表明,硅納米孔結(jié)構(gòu)多晶硅太陽能電池開壓為0.626 1V,短路電流為8.683A,填充因子為79.06%,效率為17.66%,比酸制絨常規(guī)電池片高出0.23%。 【作者單位】： 上海電機(jī)學(xué)院數(shù)理教學(xué)部;
【關(guān)鍵詞】： 硅納米孔結(jié)構(gòu) 多晶硅 太陽能電池 磷濃度分布
【基金】：上海市高校選拔優(yōu)秀青年教師科研專項(xiàng)基金項(xiàng)目資助(shdj005)
【分類號】：TB383;TM914.41
【正文快照】： 最近10年的研究表明硅納米結(jié)構(gòu)具有良好的光學(xué)性能,被看作是下一代高效電池的載體[1-2]。由于其可以在寬光譜內(nèi)實(shí)現(xiàn)零反射,故也被稱為“黑硅”[3-4]。當(dāng)入射光在大角度變化時,硅納米結(jié)構(gòu)可有效抑制反射,這對太陽能電池來說尤為重要[5-6]。如此優(yōu)越的反射性能主要?dú)w因于硅納米

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