多孔硅光伏特性的研究

【摘要】：采用電化學(xué)陽極氧化技術(shù)在P 型單晶硅片上形成一層多孔硅(PS)層,應(yīng)用表面光電壓譜(SPS)、熒光光譜和吸收光譜等研究了不同的制備工藝條件對多孔硅表面光伏特性的影響。研究結(jié)果發(fā)現(xiàn),多孔硅的光電壓相對于單晶硅有很大程度的提高,與電化學(xué)腐蝕的電流密度、腐蝕時間等工藝條件有關(guān),存在最佳的腐蝕電流密度、腐蝕時間。 【作者單位】：福州大學(xué)光催化研究所 福州大學(xué)光催化研究所 福州大學(xué)光催化研究所
【關(guān)鍵詞】：多孔硅 陽極氧化 光伏效應(yīng)
【基金】：國家自然科學(xué)基金(20073007) 福建省自然科學(xué)基金(B9820001,A0010014) 教育部留學(xué)回國人員科研啟動基金(1999-363) 高等學(xué)校骨干教師資助計劃資助
【分類號】：TB383
【正文快照】： 光調(diào)制頻率為20Hz.光電壓池為夾心型結(jié):IT0/被測樣品八TO。多孔硅的熒光光譜和吸收光譜分別由Edinburgh Analytieal Instruments公司的FS900型熒光譜儀,PE公司的Lamda一900型紫外一可見分光光度計測定。3結(jié)果與討論引言,r 6 54決」乞仁翅卿禽票 1 990年,Canhamll]首次報道了

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