硅片的三氯乙烷氧化對二氧化硅和硅特性的影響

【摘要】：本化研究了1050℃至1200℃下100硅在1.1.1.—三氯乙烷(C_(33))跟干氧的混合物中的氧化對二氧化硅和硅特性的影響。加到氧氣流中的三氯乙烷(C_(33))使氧化速率同干氧氧化相比增加了。發(fā)現(xiàn)氯位于離硅/二氧化硅界面300埃厚的二氧化硅層內(nèi)。由于HC1的作用,使鈉和鉀從石英管壁遷移到硅片,因而,C_(33)氧化層內(nèi)鈉和鉀的含量比干氧中熱生長的氧化層內(nèi)鈉和鉀的含量要高。如果二氧化硅表面呈現(xiàn)顆粒狀,就可達到可動鈉的中和。C_(33)氧化層在290℃下施加一個正的或負的場強后顯示出不穩(wěn)定性。在硅禁帶的上半部產(chǎn)生出一些負的氧化層電荷和界面態(tài)。沒有觀察到徑C_(33)氧化之后氧化物的固定電荷、界面態(tài)密度以及少數(shù)載流子的體壽命有什么改善。C_(33)氧化對硅本體材料的主要影響是完全抑制堆垛層錯的產(chǎn)生。 【關(guān)鍵詞】： 二氧化硅層 氧化物電荷 二氧化硅界面 三氯乙烷 氧化層 堆垛層錯 界面態(tài)密度 顆粒狀 觀察到 干氧氧化
【正文快照】： 。、、和氧,或者Caa和氧的混合物被充分加熱 一、引 口 時,倘若*Q的濃度是Q。的三倍,那么相 熱生長二氧化硅層的質(zhì)量如何在很大 應的反應產(chǎn)物如*。1、*1。、*。O的濃度則程度上決定了MOS器件和電荷耦合器件 完全相同‘”。只要C。。和氧的貧混合物允的性能。據(jù)報道,采用**1和

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