硼離子摻雜類金剛石薄膜及 C（B）／n-Si 異質(zhì)結(jié)光伏特性

【摘要】：采用直流弧光放電等離子ＰＣＶＤ法，沉積獲得硼摻雜類金剛石薄膜，該材料ｐ型半導(dǎo)體，電阻率５—１０Ωｃｍ。俄歇（Ａｕｇｅｒ）電子能譜測試表明，硼離子含量為０．８％，由掃描電鏡（ＳＥＭ）和激光喇曼（Ｒａｍａｎ）譜分析可知，薄膜以非晶為主，觀察到許多線徑為０．５—１．０μｍ的金剛石結(jié)晶微粒。制備成Ａｕ／Ｃ（Ｂ）／ｎ－Ｓｉ異質(zhì)結(jié)，其開路電壓Ｖｏｃ＝５８０ｍＶ，短路電流密度為６５０μＡｃｍ－２，獲得暗Ｉ－Ｖ整流特性和光照Ｉ－Ｖ工作曲線。 【作者單位】： 安徽師范大學(xué)物理系 西安交通大學(xué)
【關(guān)鍵詞】： 硼摻雜類金剛石薄膜 直流弧光PCVD Au／C（B）／Si異質(zhì)結(jié)
【分類號】：TB43
【正文快照】： 硼離子摻雜類金剛石薄膜及Ｃ（Ｂ）／ｎ－Ｓｉ異質(zhì)結(jié)光伏特性＊周之斌杜先智張亞增楊峰（安徽師范大學(xué)物理系，蕪湖２４１０００）崔容強(qiáng)（西安交通大學(xué)，西安７１００４９）文摘：采用直流弧光放電等離子ＰＣＶＤ法，沉積獲得硼摻雜類金剛石薄膜，該材料ｐ型半導(dǎo)體，電阻率

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