硅基納米金屬光刻蝕結(jié)構(gòu)的側(cè)向光伏效應(yīng)
硅基納米金屬光刻蝕結(jié)構(gòu)的側(cè)向光伏效應(yīng)【摘要】:研究目的是探索半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)下的新型光電效應(yīng),為位置靈敏傳感器的設(shè)計(jì)提供新思路.利用磁控濺射鍍膜技術(shù)在P型硅基襯底上生長(zhǎng)N型Cr金屬薄
【關(guān)鍵詞】: 磁控濺射 納米光刻蝕 半導(dǎo)體異質(zhì)光伏效應(yīng)結(jié)構(gòu) 側(cè)向光伏效應(yīng)
【分類(lèi)號(hào)】:TN305.7
【正文快照】: 光伏效應(yīng)特指當(dāng)光照射在物上時(shí),在物體上出現(xiàn)外電壓的特殊現(xiàn)象.通常我們將光伏相應(yīng)分為2類(lèi),即縱向光伏效應(yīng)與側(cè)向光伏效應(yīng).側(cè)向光伏效應(yīng)稱(chēng)為T(mén)he Lateral photovolatic effect,簡(jiǎn)稱(chēng)LPE.當(dāng)點(diǎn)光源照射在半導(dǎo)體P-N上,半導(dǎo)體體制結(jié),金屬半導(dǎo)體結(jié)上時(shí),利用其結(jié)構(gòu)同一表面引出2個(gè)電極
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