InAs/GaSb二類超晶格紅外探測(cè)器的瞬態(tài)光伏響應(yīng)特性

【摘要】：報(bào)道了InAs/GaSb二類超晶格紅外探測(cè)器的瞬態(tài)光伏響應(yīng)特性.通過對(duì)p-b-i-n二類超晶格探測(cè)器對(duì)皮秒脈沖激發(fā)的瞬態(tài)響應(yīng)特性的分析及擬合,獲得了器件的表觀少數(shù)載流子的壽命.并對(duì)不同尺寸臺(tái)面結(jié)構(gòu)單元器件進(jìn)行測(cè)試分析,發(fā)現(xiàn)少數(shù)載流子壽命隨著臺(tái)面面積的增大而增大,歸結(jié)為由于側(cè)壁表面效應(yīng)帶來的影響.所測(cè)器件的少數(shù)載流子為空穴,其表觀壽命約為2~12 ns. 【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所紅外物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： InAs/GaSb二類超晶格 瞬態(tài)特性 紅外探測(cè)器
【基金】：國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(2011CB922004) 國(guó)家自然科學(xué)基金(61376053,61405231)~~
【分類號(hào)】：TN215
【正文快照】： PACS:77.55.Px,78.47.jb,72.40.+w引言In As/Ga Sb二類超晶格器件首先由Sakaki和Esaki在1977年提出[1].由于In As的導(dǎo)帶底比Ga Sb的價(jià)帶頂還要低,兩者間隔形成周期性的勢(shì)阱結(jié)構(gòu),當(dāng)In As和Ga Sb的厚度較薄時(shí),電子和空穴各自的波函數(shù)之間存在較強(qiáng)的耦合,形成微帶能級(jí).通過調(diào)整其

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