天然氣直接轉(zhuǎn)化制乙烯有了新途徑【摘要】：正中科院大連化學(xué)物理研究所基于"納米限域催化"的新概念,創(chuàng)造性構(gòu)建出硅化物晶格限域的單中心鐵催化劑,成功實現(xiàn)甲烷在無氧條件下選擇活化,一步高

GaAs多量子阱超晶格表面激光光伏效應(yīng)【摘要】：正 由于MOCVD、MBE等半導(dǎo)體材料生長技術(shù)飛躍發(fā)展,半導(dǎo)體多量子阱和超晶格的制備、研究和應(yīng)用越來越引起廣泛重視。GaAs多量子阱

InAs/GaSb超晶格光伏型紅外探測器研究【摘要】：InAs/Ga(In)Sb超晶格具有第二類型能帶排列方式，它的能帶結(jié)構(gòu)可以通過改變InAs層和GaSb層的厚度或者設(shè)計合適的勢

GaAs/AlAs超晶格低溫光伏特性【摘要】：在18～300K溫度之內(nèi),測量了GaAs/AlA_3超晶格在不同溫度下的光伏譜,采用Kronig-Penney模型的新形式計算了勢阱中

超晶格光伏效應(yīng)的溫度特性【摘要】：在18～300K 度范圍內(nèi)測量了 GaAs/AlGaAs 超晶格和 Ge_xSi_(1-x)/Si 應(yīng)變層超晶格在不同溫度下的光伏譜。在200K

Ge_xSi_(1-x)/Si應(yīng)變層超晶格光伏特性研究【摘要】：采用電容耦合法測量了Ge_xSi_(1-x)/Si應(yīng)變層超晶格在不同溫度下的光伏特性.在Ⅱ型能帶排列的樣品中觀測到價

光伏法測量AlAs/GaAs超晶格子帶間光躍遷【摘要】：采用電容耦合法,在18—300K溫度范圍內(nèi)測量了AlAs/GaAs超晶格的光伏譜.在100K以下,光伏曲線反映了臺階式二維狀

GaAs多量子阱超晶格表面激光光伏效應(yīng)【摘要】：正 由于MOCVD、MBE等半導(dǎo)體材料生長技術(shù)飛躍發(fā)展,半導(dǎo)體多量子阱和超晶格的制備、研究和應(yīng)用越來越引起廣泛重視。GaAs多量子阱

（GaAs／AlAs）_n短周期超晶格類型及其轉(zhuǎn)變的光伏研究【摘要】：首次用光伏方法研究了（ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ）ｎ短周期超晶格中的超晶格類型及其轉(zhuǎn)變問題．不同于其它方法，光伏方法僅

新型逆水煤氣變換催化劑的設(shè)計及反應(yīng)性能【摘要】：正二氧化碳由于熱力學(xué)穩(wěn)定性和動力學(xué)惰性,使其難以高效活化。為了解決傳統(tǒng)逆變換催化劑活化CO2能力不足、抗還原性和穩(wěn)定性較差的問題,本

InAs/GaSb二類超晶格紅外探測器的瞬態(tài)光伏響應(yīng)特性【摘要】：報道了InAs/GaSb二類超晶格紅外探測器的瞬態(tài)光伏響應(yīng)特性.通過對p-b-i-n二類超晶格探測器對皮秒脈沖激發(fā)

SnO_2基固溶體用于甲烷深度氧化:X射線衍射外推法測定SnO_2晶格容量（英文）【摘要】：CH_4和CO是兩種主要的溫室效應(yīng)氣體和空氣污染物,催化氧化是最有效的消除CH_4和CO

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1eV吸收帶邊GaInAs/GaNAs超晶格太陽能電池的阱層設(shè)計【摘要】：使用In,N分離的GaInAs/GaNAs超晶格作為有源區(qū)是實現(xiàn)高質(zhì)量1eV帶隙GaInNAs基太陽能電池

光學(xué)晶格中原子的冷卻及原子能態(tài)的光頻移研究【摘要】：光場與原子相互作用是控制原子運動狀態(tài)的有效途徑。光學(xué)晶格因其可以提供單個或多個量子實體的控制,并能很好的同周圍的環(huán)境隔離,減小量

物理所石墨烯摩爾超晶格研究取得系列進(jìn)展.TRS_Editor P{margin-top:1em;margin-bottom:1em;line-height:2;font-famil

土耳其一煤礦坍塌18名工人被困.TRS_Editor P{margin-top:1em;margin-bottom:1em;line-height:2;font-family:宋體

鋰離子電池在安全性能上應(yīng)當(dāng)滿足哪些條件？鋰離子電池具有重量輕、容量大、無記憶效應(yīng)等優(yōu)勢，因而得到了普遍使用——今朝的許多數(shù)碼設(shè)備都采用了鋰離子電池作電源，盡管其價格相對來說比較昂貴

道達(dá)爾能源CEO：短期離不開俄氣 否則歐洲經(jīng)濟(jì)將付出沉重代價財聯(lián)社（上海，編輯 卞純）訊，法國能源巨頭道達(dá)爾能源（Total Energies）的首席執(zhí)行官Patrick Pouy

鋰離子電池在安全性能上應(yīng)當(dāng)滿足哪些條件？鋰離子電池具有重量輕、容量大、無記憶效應(yīng)等優(yōu)勢，因而得到了普遍使用——今朝的許多數(shù)碼設(shè)備都采用了鋰離子電池作電源，盡管其價格相對來說比較昂貴

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單晶硅和多晶硅有什么區(qū)別？多晶硅是生產(chǎn)單晶硅的直接原料，硅的單晶體，具有基本完整的點陣結(jié)構(gòu)的晶體。那么單晶硅和多晶硅有什么區(qū)別呢？接下來我們一起了解單晶硅和多晶硅的區(qū)別。多晶硅，是

單晶硅和多晶硅有什么區(qū)別？多晶硅是生產(chǎn)單晶硅的直接原料，硅的單晶體，具有基本完整的點陣結(jié)構(gòu)的晶體。那么單晶硅和多晶硅有什么區(qū)別呢？接下來我們一起了解單晶硅和多晶硅的區(qū)別。多晶硅，是

3D磁性納米架構(gòu)將為新一代存儲技術(shù)奠定基礎(chǔ)文|陳根3D納米網(wǎng)絡(luò)在光子學(xué)、生物醫(yī)學(xué)和自旋電子學(xué)方面有著廣泛的應(yīng)用。三維磁性納米架構(gòu)可以實現(xiàn)超高速、低能耗的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備。近日,維也納大

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