電子束蒸發(fā)法制備Zn(O,S)薄膜及其在SnS薄膜太陽能電池上的I-V特性研究

【摘要】：采用電子束蒸發(fā)法結合氧化工藝制備得到多晶Zn(O,S)薄膜,在可見光范圍內,其平均透射率約為85%,禁帶寬度為3.35eV;制備得到結構為glass/ITO/Zn(O,S)/SnS/Ag的異質結器件,表現(xiàn)出明顯的整流特性;探討了Zn(O,S)薄膜厚度對器件I-V特性曲線的影響,當Zn(O,S)薄膜厚度為100nm時,器件具有光響應。 【作者單位】： 福州大學物理與信息工程學院;
【關鍵詞】： 電子束蒸發(fā)法 Zn(O S) 薄膜太陽能電池 I-V特性
【分類號】：TM914.4
【正文快照】： 隨著薄膜太陽能電池研究的不斷深入,CZTS、CIGS、CdTe等太陽能電池的效率都有了很大的提高。在薄膜太陽能電池結構中,緩沖層對電池性能的影響至關重要。CdS薄膜是最為經常使用的緩沖層材料。但是,由于CdS材料中含有重金屬離子Cd2+,具有很強的毒性且會破壞自然環(huán)境,此外,CdS的

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