真空技術(shù)在銅基化合物薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)工藝中的運(yùn)用

【摘要】：在薄膜太陽(yáng)能電池中,直接帶隙的銅三六族(Cu-Ⅲ-V12)化合物半導(dǎo)體如CuInS2、CuInSe2以及Cu2InGaSe4,具有優(yōu)異的光電特性,成為比硅基材料更加優(yōu)越的低成本高轉(zhuǎn)換效率薄膜太陽(yáng)電池吸收層材料。生產(chǎn)工藝成熟后,CIGS電池的制造成本和能量回報(bào)時(shí)間都遠(yuǎn)低于晶體硅電池。世界上光伏技術(shù)的著名研發(fā)機(jī)構(gòu),如美國(guó)的國(guó)家再生能源實(shí)驗(yàn)室(NREL)和Dellware大學(xué)、德國(guó)的HMI和Stugartt大學(xué)等,都對(duì)Cu-Ⅲ-VI2基高轉(zhuǎn)換效率薄膜太陽(yáng)電池有系統(tǒng)的研究,2010年德國(guó)ZSW的CIGS電池轉(zhuǎn)換效率為20.3%,已接近多晶硅太陽(yáng)電池的水平。用Zn和Sn替代CuInS2中的In得到的四元半導(dǎo)體銅鋅錫硫Cu2ZnSnS4(簡(jiǎn)稱(chēng)CZTS),也具有適合作為薄膜太陽(yáng)電池吸收層的特性,引起了廣泛關(guān)注。銅基化合物薄膜太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)工藝路線(xiàn),大體可以分為真空工藝和非真空工藝。真空工藝是主流,在銅基化合物薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)工藝中真空技術(shù)得到了廣泛的運(yùn)用,主要涉及到磁控濺射、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)、多源共蒸發(fā)、硒化硫化等。本報(bào)告結(jié)合銅基化合物薄膜太陽(yáng)能電池制程中對(duì)各個(gè)工藝的技術(shù)要求介紹各種真空工藝在銅基化合物薄膜太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)中的運(yùn)用和發(fā)展趨勢(shì)。為計(jì)劃涉足銅基化合物薄膜太陽(yáng)能電池領(lǐng)域真空設(shè)備生產(chǎn)廠(chǎng)商提供參考。 【作者單位】：湛江師范學(xué)院物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院
【分類(lèi)號(hào)】：TM914.42;TB79
【正文快照】： 真空技術(shù)在銅基化合物薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)工藝中的運(yùn)用@張軍$湛江師范學(xué)院物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院!湛江 524048 @邵樂(lè)喜$湛江師范學(xué)院物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院!湛江 524048在薄膜太陽(yáng)能電池中,直接帶隙的銅三六族(Cu-Ⅲ-V12)化合物半導(dǎo)體如CuInS2、CuInSe2以及Cu2InGaSe4,具有優(yōu)異的

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