晶體硅太陽能組件功率損失研究
晶體硅太陽能組件功率損失研究【摘要】:本文以“提高組件的功率”為研究方向,進(jìn)行了以下幾方面的研究:1、太陽能組件功率的研究研究了電池片封裝成組件后的功率損耗,得出以下結(jié)論:(1)、
【學(xué)位授予單位】:上海交通大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2013
【分類號】:TM914.41
【目錄】:
- 摘要5-7
- ABSTRACT7-12
- 第一章 緒論12-29
- 1.1 光伏產(chǎn)業(yè)的機(jī)遇12
- 1.2 晶體硅電池產(chǎn)業(yè)鏈介紹12-13
- 1.3 晶體硅太陽電池片生產(chǎn)工藝13
- 1.4 晶體硅電池組件生產(chǎn)工藝13-14
- 1.5 晶體硅電池及其工藝簡介14-16
- 1.5.1 制絨14
- 1.5.2 擴(kuò)散14
- 1.5.3 刻蝕14
- 1.5.4 去磷硅玻璃14-15
- 1.5.5 減反層沉積15
- 1.5.6 絲網(wǎng)印刷15
- 1.5.7 燒結(jié)15-16
- 1.5.8 測試分選16
- 1.6 晶體硅太陽能電池技術(shù)簡介16-22
- 1.6.1 常規(guī)鋁背電場絲網(wǎng)印刷電池16
- 1.6.2 鈍化發(fā)射極背部局域擴(kuò)散-PERL(UNSW)16-17
- 1.6.3 HIT 電池(Sanyo)17
- 1.6.4 SunPower 背接觸電池17-18
- 1.6.5 ECN 的 N 型 PASHA 雙面電池技術(shù)18-19
- 1.6.6 激光刻槽埋柵電池19
- 1.6.7 選擇性發(fā)射極電池19-21
- 1.6.8 背電場鈍化技術(shù)21
- 1.6.9 MWT 電池21-22
- 1.7 太陽電池結(jié)構(gòu)、原理及參數(shù)22-25
- 1.7.1 太陽電池的基本結(jié)構(gòu)和光伏效應(yīng)22
- 1.7.2 光電流22-23
- 1.7.3 光電壓23-24
- 1.7.4 太陽電池的等效電路和伏安特性曲線24-25
- 1.7.5 填充因子25
- 1.7.6 太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率25
- 1.8 光伏產(chǎn)業(yè)的危機(jī)原因25-27
- 1.8.1 瘋狂投資產(chǎn)能過剩25-26
- 1.8.2 產(chǎn)品銷售過于依賴出口26-27
- 1.8.3 美國雙反27
- 1.8.4 歐洲雙反27
- 1.9 晶體硅太陽能電池功率損耗研究的意義27-28
- 1.9.1 優(yōu)化組件設(shè)計27
- 1.9.2 優(yōu)化電池工藝27-28
- 1.10 本文研究的主要內(nèi)容28-29
- 第二章 太陽能電池組件封裝功率損失分析29-43
- 2.1 組件的封裝工藝、結(jié)構(gòu)及功率損失29-30
- 2.1.2 組件的封裝功率損失29-30
- 2.1.3 組件的運(yùn)行功率損失30
- 2.2 組件的光學(xué)損失30-35
- 2.2.1 組件光學(xué)損失理論分析30-31
- 2.2.2 鋼化玻璃對封裝功率的影響31-32
- 2.2.3 EVA 對封裝功率的影響32-33
- 2.2.4 電池片光譜響應(yīng)對封裝功率的影響33-34
- 2.2.5 背板對封裝功率的影響34-35
- 2.3 組件的電學(xué)損失35-39
- 2.3.2 電池片串聯(lián)失配損失35-36
- 2.3.3 匯流條電阻損失36
- 2.3.4 互聯(lián)條電阻損失36-37
- 2.3.5 互聯(lián)條與電池片的接觸電阻損失37-38
- 2.3.6 接線盒電阻損失38-39
- 2.4 組件電學(xué)功率損失討論39-40
- 2.5 電池片串聯(lián)電阻對組件功率的影響40-41
- 2.6 減少組件封裝功率損耗的方法41-42
- 2.6.1 提高光學(xué)增益41
- 2.6.2 降低電學(xué)損失41-42
- 2.7 本章小結(jié)42-43
- 第三章 電池片輸出功率損失分析43-52
- 3.1 影響電池片輸出功率的主要因素43-45
- 3.1.1 影響轉(zhuǎn)換效率的光學(xué)因素43
- 3.1.2 影響轉(zhuǎn)換效率的電學(xué)因素43-45
- 3.1.3 光學(xué)因素與電學(xué)因素的相互關(guān)系45
- 3.2 串聯(lián)電阻的測試方法綜述45-51
- 3.2.1 開路電壓斜率法46
- 3.2.2 雙光強(qiáng)特性曲線測量法46-47
- 3.2.3 明暗特性曲線比較法47
- 3.2.4 電注入法47-48
- 3.2.5 最大功率點(diǎn)法48-49
- 3.2.6 單條 I-V 曲線兩點(diǎn)法49-50
- 3.2.7 Lambert W 函數(shù)求解法50-51
- 3.3 溫度對串聯(lián)電阻的影響51
- 3.4 本章小結(jié)51-52
- 第四章 太陽能電池串聯(lián)電阻的組成及各分阻的計算52-73
- 4.1 太陽能電池片串聯(lián)電阻的組成及分布52
- 4.2 電池片各個分阻的計算52-57
- 4.2.1 體電阻的計算52-53
- 4.2.2 表面薄層電阻的計算53
- 4.2.3 細(xì)柵線電阻的計算53-54
- 4.2.4 主柵線電阻的計算54-55
- 4.2.5 接觸電阻的計算55-57
- 4.3 金屬-半導(dǎo)體界面電壓、電流基本方程57-58
- 4.4 三種不同電流模式下接觸電阻表達(dá)式及相互關(guān)系58-62
- 4.4.1 單側(cè)電流模式58-59
- 4.4.2 雙側(cè)電流模式59-60
- 4.4.3 穿越電流模式60-61
- 4.4.4 端電阻表達(dá)式61
- 4.4.5 四種電阻表達(dá)式的相互關(guān)系61-62
- 4.4.6 Rc1、Rc2 之間的關(guān)系62
- 4.5 接觸電阻的不等間距傳輸(DSTLM)測量法62-64
- 4.5.1 DSTLM 法模型與計算63
- 4.5.2 DSTLM 測試法的測量結(jié)果及討論63-64
- 4.6 接觸電阻的等間距傳輸線(SSTLM)測試法64-69
- 4.6.1 SSTLM 法模型65
- 4.6.2 SSTLM 法測試數(shù)據(jù)65-68
- 4.6.3 SSTLM 法測試結(jié)果分析與討論68-69
- 4.6.4 SSTLM 法的應(yīng)用69
- 4.7 接觸電阻的端電阻(ER)測試法69-71
- 4.7.1 ER 簡介69-70
- 4.7.2 改進(jìn) ER 法70-71
- 4.7.3 改進(jìn) ER 法的結(jié)果與討論71
- 4.8 本章小結(jié)71-73
- 第五章 總結(jié)與展望73-75
- 5.1 主要結(jié)論73-74
- 5.1.1 組件封裝功率的研究73
- 5.1.2 電池片功率損失的研究73
- 5.1.3 電池片接觸電阻的精確測試法73-74
- 5.2 研究展望74-75
- 參考文獻(xiàn)75-78
- 致謝78-79
- 攻讀碩士學(xué)位期間已發(fā)表或錄用的論文79
- 攻讀碩士學(xué)位期間獲得的與論文相關(guān)的專利79
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