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基于硅納米柱陣列的雜化太陽能電池研究

來源:論文學術(shù)網(wǎng)
時間:2024-08-18 21:36:24
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基于硅納米柱陣列的雜化太陽能電池研究【摘要】:太陽能作為一種可永續(xù)利用的清潔能源,有著巨大的應(yīng)用潛力,而在對太陽能的有效利用中,光伏發(fā)電技術(shù)(Photovoltaic)是發(fā)展最快的

【摘要】:太陽能作為一種可永續(xù)利用的清潔能源,有著巨大的應(yīng)用潛力,而在對太陽能的有效利用中,光伏發(fā)電技術(shù)(Photovoltaic)是發(fā)展最快的領(lǐng)域。在目前的光伏市場上,以晶硅制備的第一代太陽電池仍然是主流,然而其高昂的發(fā)電成本制約了此類電池的廣泛應(yīng)用。為了降低光伏電池的成本,本工作開展了兩方面的改進:首先是研究具有低成本、高性能,可折疊,生產(chǎn)工藝便捷等一系列特征的有機光伏(Organic Photovoltaic,OPV)器件;其次是通過制備硅納米結(jié)構(gòu)代替平面硅,提升器件的光學和電學性能,并且將有機/無機材料相結(jié)合制備基于硅納米結(jié)構(gòu)的雜化太陽電池器件。基于以上研究思路,本課題一方面采用簡單的真空蒸鍍和旋涂等方法,制備了有機太陽能電池器件;另一方面運用低成本的納米球刻蝕技術(shù)制備尺寸可控的硅納米柱陣列,并在此基礎(chǔ)上制備了硅納米柱/聚合物雜化太陽能電池器件,主要內(nèi)容分為以下三個部分:(1)以zinc phthalocyanine(Zn Pc)/fullerene(C60)有機小分子材料作為太陽能電池活性層,通過在受體(Acceptor)與陰極(Cathode)之間插入陰極緩沖層(Cathode Buffer Layer,CBL)來改善有機太陽能電池的性能。選擇的陰極緩沖層材料為4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(Bphen),通過改變Bphen層的厚度探索對太陽能電池性能的影響。實驗結(jié)果表明當Bphen層的厚度為10 nm時器件性能最好。在此基礎(chǔ)上,系統(tǒng)研究了體異質(zhì)結(jié)(Bulk Heterojunction,BHJ)結(jié)構(gòu)對器件性能的影響。即在Zn Pc與C60之間添加摻雜層Zn Pc:C60。結(jié)果顯示:當摻雜比率為2:1時,器件功率轉(zhuǎn)換效率(Power Conversion Efficiency,PCE)最高,為0.84%,相對于面異質(zhì)結(jié)(Planar Heterojunction,PHJ)的器件效率提升了55%。(2)以poly(3-hexylthiophene)(P3HT):[6,6]-phenyl C61-butyric acid methyl ester(PCBM)作為有機太陽能電池活性層研究聚合物太陽能電池器件的性能。在這一部分,選擇在活性層和陰極之間插入不同的陰極緩沖層材料,分別為有機物、無機物以及將有機物和無機物摻雜三種不同形式。結(jié)果表明,當金屬陰極材料沉積在活性層時,相對熱的金屬原子會在活性層表面發(fā)生化學反應(yīng)以及擴散到活性層材料中,插入陰極緩沖層會增強電子的傳輸,阻擋激子以及避免電子和空穴淬滅的作用。最終獲得了最高效率為2.78%的太陽能電池器件,相對于未添加摻雜層的器件效率提升了75.9%。(3)通過納米球刻蝕技術(shù)發(fā)展對于有序排列的Si納米柱陣列的可控及低成本制備,并進一步研究基于此的有機/無機雜化太陽能電池:首先利用LB拉膜技術(shù)在n-Si(100)片上制備了Si O2納米粒子點陣單層膜作為掩膜板,采用ICP干法刻蝕制備尺寸可控的Si納米柱陣列。系統(tǒng)研究了直徑(D)及高度(H)等參數(shù)對于Si納米柱陣列的光學性能的影響,得出的結(jié)論是D越小,H越大,Si納米柱陣列的吸光性能越優(yōu)異。最后制備了基于Si納米柱/共軛高分子(PEDOT:PSS)的肖特基雜化太陽能電池器件,通過電流-電壓測試考察了器件的光伏性能。 【關(guān)鍵詞】:有機太陽能電池 陰極緩沖層 硅納米柱陣列 雜化太陽能電池
【學位授予單位】:上海大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2015
【分類號】:TM914.4
【目錄】:
  • 摘要6-8
  • ABSTRACT8-13
  • 第一章 緒論13-31
  • 1.1 課題來源13
  • 1.2 課題研究的目的及意義13-15
  • 1.3 太陽能的利用15-17
  • 1.4 太陽能電池分類17-20
  • 1.5 有機太陽能電池的結(jié)構(gòu)和工作原理20-23
  • 1.5.1 有機太陽能電池的結(jié)構(gòu)20-22
  • 1.5.2 有機太陽能電池的工作原理22-23
  • 1.6 太陽能電池的研究概況23-29
  • 1.6.1 有機太陽能電池的研究概況23-26
  • 1.6.2 硅基有機/無機雜化太陽能電池的研究概況26-29
  • 1.7 論文的主要內(nèi)容29-31
  • 第二章 實驗設(shè)備及太陽能電池性能參數(shù)31-39
  • 2.1 實驗所用儀器設(shè)備簡介31-36
  • 2.1.1 真空蒸鍍及旋涂設(shè)備31-32
  • 2.1.2 太陽能測試設(shè)備32-33
  • 2.1.3 LB拉膜系統(tǒng)33-34
  • 2.1.4 干法刻蝕系統(tǒng)34-36
  • 2.2 太陽能電池性能參數(shù)36-38
  • 2.3 本章小結(jié)38-39
  • 第三章 有機小分子太陽能電池的研究39-51
  • 3.1 引言39-40
  • 3.2 器件的制備40-45
  • 3.2.1 實驗材料40-42
  • 3.2.2 器件的制備和測試42-45
  • 3.3 實驗結(jié)果與分析45-49
  • 3.3.1 陰極緩沖層(CBL)厚度的研究45-47
  • 3.3.2 體異質(zhì)結(jié)(BHJ)的研究47-49
  • 3.4 本章小結(jié)49-51
  • 第四章 有機高分子太陽能電池的研究51-63
  • 4.1 引言51-52
  • 4.2 器件的制備52-56
  • 4.2.1 實驗材料52-54
  • 4.2.2 器件的制備和測試54-56
  • 4.3 實驗結(jié)果與分析56-62
  • 4.3.1 有機陰極緩沖層材料56-58
  • 4.3.2 無機陰極緩沖層材料58-60
  • 4.3.3 摻雜陰極緩沖層材料60-62
  • 4.4 本章小結(jié)62-63
  • 第五章 硅納米柱陣列-PEDOT:PSS雜化太陽電池器件研究63-77
  • 5.1 引言63-64
  • 5.2 Si納米柱陣列的制備與光學特性的研究64-73
  • 5.2.1 SiO_2 納米粒子的表面改性65-66
  • 5.2.2 LB拉膜66-67
  • 5.2.3 SiO_2 粒子點陣占空比的調(diào)控67-69
  • 5.2.4 可控尺寸的Si納米柱陣列的制備69-71
  • 5.2.5 Si納米柱陣列的光學特性的研究71-73
  • 5.3 太陽能電池器件的制備和性能表征73-76
  • 5.3.1 太陽能電池器件的制備73-75
  • 5.3.2 太陽能電池器件的性能表征75-76
  • 5.4 本章小結(jié)76-77
  • 第六章 總結(jié)與展望77-79
  • 6.1 總結(jié)77-78
  • 6.2 展望78-79
  • 參考文獻79-93
  • 作者在攻讀碩士學位期間公開發(fā)表的論文93-94
  • 作者在攻讀碩士學位期間所作的項目94-95
  • 致謝95


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