非晶硅太陽(yáng)能電池用優(yōu)質(zhì)TCO膜研究

【摘要】：本文介紹利用環(huán)形雙電子槍制備非晶硅太陽(yáng)電池用ITO/SnO_2雙層透明導(dǎo)電膜新工藝。在最佳條件下制備的該膜的薄層電阻達(dá)6.1Ω/□,可見(jiàn)光范圍的透過(guò)率大于90％,載流子濃度為1.0×10~(21)cm~(-3)。實(shí)驗(yàn)表明,當(dāng)膜層厚為200～300A時(shí),就可有效阻擋ITO膜中的In向a-Si:H中擴(kuò)散。 【作者單位】： 北京大學(xué) 北京大學(xué) 北京大學(xué)
【關(guān)鍵詞】： 硅太陽(yáng)能電池 透明導(dǎo)電膜 硅太陽(yáng)電池 襯底溫度 載流子濃度 ITO膜 非晶 雙層膜 電子槍 氧分壓
【正文快照】： 一、引·官 在a一51:H太陽(yáng)電池中,用作正面電極的透明導(dǎo)電膜(TCO膜),是決定電池性能的關(guān)鍵材料之一。早期的TCO膜一般采用單層ITO材料,但在以玻瑞作襯底的a一si:H太陽(yáng)電池中,由于ITO膜中的In易向a一Si:H中擴(kuò)散,影響電池的轉(zhuǎn)換效率。因而目前國(guó)際上已用ITO/SnO:雙層膜‘”或Sno

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