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MOCVD—SnO_2薄膜對(duì)Si太陽能電池性能的影響

來源:論文學(xué)術(shù)網(wǎng)
時(shí)間:2024-08-18 20:25:38
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MOCVD—SnO_2薄膜對(duì)Si太陽能電池性能的影響【摘要】:用MOCVD法在α-Si太陽能電池上沉積SnO_2薄膜作為減反射層,約80nm厚的SnO_2薄膜可相對(duì)提高電池轉(zhuǎn)換效率

【摘要】:用MOCVD法在α-Si太陽能電池上沉積SnO_2薄膜作為減反射層,約80nm厚的SnO_2薄膜可相對(duì)提高電池轉(zhuǎn)換效率34%. 【作者單位】: 山東大學(xué)化學(xué)系 山東大學(xué)化學(xué)系 山東大學(xué)化學(xué)系
【關(guān)鍵詞】MOCVD SnO_薄膜 a-Si太陽能電池 減反射層
【分類號(hào)】:TM914.4
【正文快照】: 為了提高a-St太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率,膜,測定了SnO。層對(duì)電池光伏性能的影響。在出表面上加減反射層是一種有效的方法。1實(shí)驗(yàn)作為減反射層的材料,一般要求透明、耐化MOCVD法e積SnO。薄膜按文獻(xiàn)t3)中學(xué)腐蝕,與基體材料粘接性好,最好具有導(dǎo)報(bào)道,薄膜厚度用盧瑟福背散射法(RBSJ

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