小晶粒多晶薄膜CuInSe_2基太陽能電池平衡態(tài)的類非晶態(tài)特性分析
來源:論文學(xué)術(shù)網(wǎng)
時(shí)間:2024-08-18 20:12:15
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小晶粒多晶薄膜CuInSe_2基太陽能電池平衡態(tài)的類非晶態(tài)特性分析【摘要】:沿用aSi:H中類施主Urbach帶尾態(tài)描述小晶粒多晶薄膜pCuInSe2禁帶內(nèi)連續(xù)分布局域態(tài),揭示
【摘要】:沿用aSi:H中類施主Urbach帶尾態(tài)描述小晶粒多晶薄膜pCuInSe2禁帶內(nèi)連續(xù)分布局域態(tài),揭示pCuInSe2/nCdS異質(zhì)結(jié)太陽能電池?zé)崞胶鈶B(tài)性質(zhì),討論類施主Urbach帶尾態(tài)參量Gdo,Ed對(duì)異質(zhì)結(jié)熱平衡性質(zhì)的影響,指出這種類非晶態(tài)特性分析方法將為進(jìn)一步研究小晶粒多晶薄膜器件提供新途徑.
【作者單位】:
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系
【關(guān)鍵詞】: a-Si:H隙態(tài)密度分布 Urbach帶尾態(tài) 多重陷阱俘獲過程
【分類號(hào)】:O484.5
【正文快照】: 1引言1981年H.Oheda[1]首先建立禁帶中隨能量分布的局域態(tài)理論,并把它用來分析CdS晶體的實(shí)驗(yàn)結(jié)果.不久前YiTang等人[2]在解釋多晶薄膜CuInSe2荷電載流子遷移率,壽命與溫度關(guān)系曲線時(shí)證實(shí)CuInSe2多晶薄膜禁帶內(nèi)有指數(shù)分布的局域
【關(guān)鍵詞】: a-Si:H隙態(tài)密度分布 Urbach帶尾態(tài) 多重陷阱俘獲過程
【分類號(hào)】:O484.5
【正文快照】: 1引言1981年H.Oheda[1]首先建立禁帶中隨能量分布的局域態(tài)理論,并把它用來分析CdS晶體的實(shí)驗(yàn)結(jié)果.不久前YiTang等人[2]在解釋多晶薄膜CuInSe2荷電載流子遷移率,壽命與溫度關(guān)系曲線時(shí)證實(shí)CuInSe2多晶薄膜禁帶內(nèi)有指數(shù)分布的局域
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