基于AlInGaAsP材料的應(yīng)變平衡量子阱太陽能電池

【摘要】：近年來,基于晶格匹配的多結(jié)太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)接近30%[1,2],中國電子科技集團(tuán)公司第十八研究所三結(jié)GaInP/GaAs/Ge電池技術(shù)已經(jīng)達(dá)到小批量生產(chǎn)水平。為了進(jìn)一步提高多結(jié)太陽電池的轉(zhuǎn)換效率,可以采用增加pn結(jié)的數(shù)量和優(yōu)化三結(jié)電池子電池帶寬組合等辦法,但上述途徑受到材料晶格匹配的限制,目前同時實現(xiàn)晶格匹配和最佳帶寬的材料生長還存在一些問題。為此,我們采用與多結(jié)電池技術(shù)兼容的設(shè)備和材料,開展了基于A lInGaAsP材料的應(yīng)變平衡量子阱太陽能電池的研究。本文給出GaAs單結(jié)量子阱電池的實驗過程及結(jié)果,證實了量子阱結(jié)構(gòu)的引入確實能夠提高電池的輸出電流。隨著研究的深入,我們希望用此結(jié)構(gòu)作為中間電池,以提高三結(jié)電池的效率。 【作者單位】： 南開大學(xué)信息技術(shù)科學(xué)學(xué)院 南開大學(xué)信息技術(shù)科學(xué)學(xué)院 南開大學(xué)信息技術(shù)科學(xué)學(xué)院 東南大學(xué)電子工程系
【關(guān)鍵詞】： 量子阱 太陽能電池 MOCVD 外延
【分類號】：TM914.4;
【正文快照】： 1引言應(yīng)變效應(yīng)已經(jīng)應(yīng)用于光電子器件,同時實現(xiàn)了能帶調(diào)整和異質(zhì)材料的晶體生長,不僅拓寬了材料的應(yīng)用范圍,還提高和改善了光電子器件的性能。國內(nèi)在量子阱結(jié)構(gòu)發(fā)光器件和光電探測器方面已做了大量的研究工作,對量子阱結(jié)構(gòu)的制作和工作機(jī)理進(jìn)行了深入研究,取得了很多高水平的

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