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非平面芯片及碲化太陽(yáng)能電池的研發(fā)與分析

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時(shí)間:2024-08-18 18:32:08
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非平面芯片及碲化太陽(yáng)能電池的研發(fā)與分析【摘要】:介紹了專利申請(qǐng)方案"非平面芯片及碲化太陽(yáng)能電池"(200610021065.X)的研發(fā)過(guò)程,并對(duì)其技術(shù)特點(diǎn)進(jìn)行了分析。該專利同步實(shí)施

【摘要】:介紹了專利申請(qǐng)方案"非平面芯片及碲化太陽(yáng)能電池"(200610021065.X)的研發(fā)過(guò)程,并對(duì)其技術(shù)特點(diǎn)進(jìn)行了分析。該專利同步實(shí)施"非平面芯片"和"選用碲化物制作電池芯片薄膜"兩項(xiàng)創(chuàng)新舉措,可將普通硅晶太陽(yáng)能電池的性價(jià)比提高一倍,為光伏產(chǎn)品的研究提供一定參考。 【作者單位】: 成都加佳好科技有限公司;
【關(guān)鍵詞】太陽(yáng)能 電池技術(shù) 非平面芯片 碲化物 光電能量 轉(zhuǎn)換率 創(chuàng)新舉措 性價(jià)比 平面結(jié)構(gòu) 研發(fā)過(guò)程
【分類號(hào)】:TM914.4
【正文快照】: 1原有太陽(yáng)能電池技術(shù)不足(1)硅晶電池主要是受硅(Si)材料本身兩個(gè)固有特性的局限:一是硅對(duì)紅外波段輻射能的透過(guò)率很高,幾乎不能利用,而該波段輻射能占入射陽(yáng)光總輻射能的43%;二是硅晶材料將光能轉(zhuǎn)換為電能的比例比轉(zhuǎn)換成熱能的比例還低,且溫度每升高1℃,輸出功率衰減0·34%~

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