首頁 > 學術(shù)論文

甲烷濃度對CVD多晶金剛石薄膜孿晶的影響

來源:論文學術(shù)網(wǎng)
時間:2024-08-18 18:28:48
熱度:

甲烷濃度對CVD多晶金剛石薄膜孿晶的影響【摘要】:利用掃描電鏡、X射線衍射和電子背散射衍射研究了CVD自支撐金剛石薄膜的表面形貌組織、織構(gòu)和晶界分布。研究表明:金剛石薄膜制備氣氛純

【摘要】:利用掃描電鏡、X射線衍射和電子背散射衍射研究了CVD自支撐金剛石薄膜的表面形貌組織、織構(gòu)和晶界分布。研究表明:金剛石薄膜制備氣氛純度較低,造成薄膜中存在較多孿晶。沉積氣體中甲烷濃度升高,孿晶發(fā)生頻率增加,孿晶對織構(gòu)組分的影響程度增加。高頻率孿晶使薄膜中{100}織構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)閧122}織構(gòu),但沒有觀察到明顯的{511}和{411}孿晶織構(gòu),說明孿晶取向的變化具有一定的選擇性。 【作者單位】: 河南科技大學材料科學與工程學院;有色金屬共性技術(shù)河南省協(xié)同創(chuàng)新中心;
【關(guān)鍵詞】金剛石薄膜 甲烷濃度 孿晶 織構(gòu) 電子背散射衍射
【基金】:河南省高??萍紕?chuàng)新團隊支持計劃資助項目(2012IRTSTHN008) 河南科技大學博士科研啟動基金(09001233)資助項目 河南科技大學SRTP資助項目(2012036)
【分類號】:TB383.2
【正文快照】: CVD金剛石薄膜是一種具有多種優(yōu)異性能的功能材料[1-3]。目前,金剛石薄膜制備技術(shù)已經(jīng)有了巨大的進展[1-4],人們在嚴格的制備工藝條件下已經(jīng)能夠沉積出較高質(zhì)量的金剛石薄膜[3-6]。孿晶是多晶金剛石薄膜沉積過程中經(jīng)常發(fā)生的一種晶體缺陷[7-9],會造成晶體取向的改變,但孿晶母

您可以在本站搜索以下學術(shù)論文文獻來了解更多相關(guān)內(nèi)容

高功率MPCVD金剛石膜透波窗口材料制備研究    于盛旺;劉艷青;唐偉忠;申艷艷;賀志勇;唐賓;

CVD金剛石膜的結(jié)構(gòu)分析    劉存業(yè),劉暢

CVD金剛石薄膜孿晶形成的原子機理分析    朱宏喜;毛衛(wèi)民;馮惠平;呂反修;I.I.Vlasov;V.G.Ralchenko;A.V.Khomich;

金剛石薄膜的性質(zhì)、制備及應(yīng)用    滿衛(wèi)東,汪建華,王傳新,馬志斌

高品質(zhì)金剛石膜微波等離子體CVD技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀    唐偉忠;于盛旺;范朋偉;李義鋒;蘇靜杰;劉艷青;

非對稱磁鏡場電子回旋共振氧等離子體刻蝕化學氣相沉積金剛石膜    譚必松;馬志斌;沈武林;吳振輝;

電子輔助熱絲化學氣相沉積金剛石薄膜中氫原子譜線與最佳成膜條件    董麗芳,尚勇,王志軍

NH_4HB_4O_7·3H_2O為硼源添加劑高溫高壓合成金剛石研究    盧喜瑞;唐敬友;劉黨庫;姚懷;

微波等離子體同質(zhì)外延修復金剛石的研究    滿衛(wèi)東;謝鵬;吳宇瓊;孫蕾;汪建華;

CVD金剛石膜的熱化學拋光技術(shù)    黃樹濤;周麗;焦可茹;許立福;

MPCVD法在基片邊緣生長大顆粒金剛石的研究    滿衛(wèi)東;翁俊;吳宇瓊;呂繼磊;董維;汪建華;

大面積金剛石薄膜的均勻性    茍立;劉煉;冉均國;戴孟喬;鄭元元;

氧回旋離子束刻蝕化學氣相沉積金剛石膜    吳俊;馬志斌;沈武林;

激光軸向偏焦法平整化CVD金剛石膜    嚴壘;馬志斌;張璋;鄧煜恒;王興立;

微波CVD法低溫制備納米金剛石薄膜    滿衛(wèi)東;汪建華;王傳新;馬志斌;王升高;熊禮威;

直流弧光放電等離子體CVD金剛石薄膜中的晶體類型與特征    張湘輝;汪靈;龍劍平;常嗣和;周九根;

金剛石膜紅外光學窗口的化學氣相沉積技術(shù)    唐偉忠;于盛旺;李成明;陳廣超;呂反修;

紅外窗口金剛石透波涂層沉積設(shè)備研制與涂層性能研究    王鴻翔

新型金剛石薄膜輻射劑量計的基礎(chǔ)研究及設(shè)計    廖曉明

CVD金剛石薄膜在光電器件中的應(yīng)用研究    劉健敏

多晶硅納米薄膜壓阻機理與特性的研究    揣榮巖

金剛石在TWT及MPM中的應(yīng)用關(guān)鍵技術(shù)研究    謝擴軍

機加工刀具用金剛石復合體的研究    林峰

直流電弧等離子體噴射金剛石膜殘余應(yīng)力及開裂破壞研究    唐達培

大尺寸金剛石厚膜球冠制備機理與工藝研究    李多生

鐵基金屬觸媒物相在金剛石合成中的作用機理研究    田彬

ZnO納米棒/金剛石復合結(jié)構(gòu)的制備及電學性質(zhì)研究    桑丹丹

鎳鉻合金表面鍍覆納米非晶金剛石膜對鎳離子析出的影響    季楠

偏壓對超薄DLC保護膜結(jié)構(gòu)和熱穩(wěn)定性的影響    李國鋒

高硼摻雜金剛石薄膜(Si/BDD)的制備及電化學性能的研究    陳朋

新型MPCVD裝置制備大面積金剛石膜的研究    翁俊

新型MPCVD裝置制備大面積納米金剛石薄膜的研究    陳冠虎

微波等離子體低溫CVD金剛石膜工藝和機理研究    王永明

熱絲化學氣相沉積金剛石膜的研究    孫心瑗

柔性襯底上金剛石薄膜的制備及其附著性能研究    程春曉

金剛石薄膜的高速生長工藝研究    程小華

熱絲化學氣相沉積金剛石膜的研究    劉剛

圓柱形和橢球形諧振腔式MPCVD裝置中微波等離子體分布特征的數(shù)值模擬與比較    王鳳英;郭會斌;唐偉忠;呂反修;

新型MPCVD金剛石膜等離子發(fā)生器及等離子特性數(shù)值模擬    李曉靜;于盛旺;張思凱;唐偉忠;呂反修;

橢球諧振腔式MPCVD裝置高功率下大面積金剛石膜的沉積    于盛旺;范朋偉;李義鋒;劉艷青;唐偉忠;

CVD金剛石薄膜表面的缺陷研究    周靈平,靳九成,李紹祿,顏永紅,朱正華

電弧法磁性超細微粒分析    劉存業(yè),王躍,李建

Ar~+離子束轟擊在石墨表面形成六方金剛石納米晶的研究    王震遐,俞國慶,阮美齡,朱福英,朱德彰,潘浩昌,徐洪杰

濺射法制備Ag/Ag_2O超微粒子的分析    李建,劉存業(yè),梁一平,任洪湘,鄧昭鏡,劉昌信

負偏壓熱燈絲CVD金剛石膜核化和早期生長的研究    廖克俊,王萬錄,馮斌

金剛石半導體的研制動向    藤森直治,王景義

微波PCVD法大尺寸透明自支撐金剛石膜的制備及紅外透過率(英文)    李博;韓柏;呂憲義;李紅東;汪劍波;金曾孫;