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甲烷流量對(duì)中頻磁控濺射制備TiSi-C:H薄膜生長(zhǎng)和性能的影響(英文)

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時(shí)間:2024-08-18 18:27:56
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甲烷流量對(duì)中頻磁控濺射制備TiSi-C:H薄膜生長(zhǎng)和性能的影響(英文)【摘要】:以甲烷為先驅(qū)氣體通過中頻磁控濺射Ti80Si20靶材在硅和不銹鋼基底上制備TiSi-C:H薄膜,研究

【摘要】:以甲烷為先驅(qū)氣體通過中頻磁控濺射Ti80Si20靶材在硅和不銹鋼基底上制備TiSi-C:H薄膜,研究了甲烷流量對(duì)薄膜沉積速率、結(jié)構(gòu)、力學(xué)和摩擦學(xué)性能的影響。結(jié)果表明,甲烷流量對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)、力學(xué)和摩擦學(xué)性能有顯著影響,隨甲烷流量增加薄膜從包含約10 nm晶的錐狀納米晶/非晶復(fù)合結(jié)構(gòu)向非晶結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變,在低甲烷流量下沉積的薄膜具有高硬度、高應(yīng)力和高磨損率;在高甲烷流量下薄膜硬度和應(yīng)力降低,而摩擦學(xué)性能提高。薄膜力學(xué)和摩擦學(xué)性能的變化被認(rèn)為是隨甲烷流量增加薄膜結(jié)構(gòu)演化的結(jié)果。 【作者單位】: 蘭州理工大學(xué);中國科學(xué)研究院蘭州化學(xué)物理研究所固體潤(rùn)滑國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】a-C H薄膜 中頻磁控濺射 力學(xué)性能 摩擦性能
【基金】:National Natural Science Foundation of China(51105186) Natural Science Foundation of Gansu Province(1014RJZA007) Excellent Young Teachers Program of Lanzhou University of Technology(1010ZCX010) the Doctoral Research Grant of Lanzhou University of Technology
【分類號(hào)】:TB383.2
【正文快照】: Hydrogenated amorphous carbon(a-C:H)films have beeninvestigated for many years due to their outstandingmechanical properties such as high hardness,low friction,high wear resistance and excellent chemical inertness.Thesecharacteristics make a-C:H films go

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