單晶來勢洶洶 黑硅將為多晶市場帶來救贖？

單晶、多晶產(chǎn)品的勢力消長一直是太陽能市場重要的觀察點，而單晶自2016年起藉著效率與成本優(yōu)勢重回主流，多晶廠商為了尋求出路，使得金剛線切片搭配黑硅蝕刻處理的方案重新受到重視，不少廠商摩拳擦掌要在2017下半年推出相關(guān)產(chǎn)品在市場上一決勝負(fù)。

回顧太陽能產(chǎn)業(yè)發(fā)展，單晶起初占了先機(jī)，之后由經(jīng)濟(jì)實惠的多晶逆勢翻轉(zhuǎn)。然而，單晶硅晶圓持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)所推動的單晶整體成本下降，加上領(lǐng)導(dǎo)廠商的推廣以及政策倡導(dǎo)的帶動下，單晶的市占率預(yù)計會從2015年約18％逐漸增加到2017年的30％以上。

多晶發(fā)展遇瓶頸 金剛線切片勢在必行

單晶產(chǎn)品之所以能重新取得優(yōu)勢，除高效優(yōu)勢之外，最主要的原因是多晶在轉(zhuǎn)換效率與降低成本方面遇上了瓶頸。多晶硅晶圓與電池透過技術(shù)改善來提升效率的空間逐漸縮小，在標(biāo)準(zhǔn)多晶電池制程中，傳統(tǒng)酸蝕刻技術(shù)處理后的表面平均反射率會比單晶來得高，造成多晶電池反射光的損耗較大；再加上多晶PERC的效率提升成效并不如單晶，導(dǎo)致在目前PERC技術(shù)席卷之時，多晶產(chǎn)品的發(fā)展受到了抑制。在成本方面，單晶在長晶、切片端都還能降低，多晶則因劇烈的價格競爭導(dǎo)致降低成本空間幾乎已經(jīng)耗盡。

效率／成本比的落后，讓多晶制造商感受到強(qiáng)大的競爭壓力。2016年，不少多晶企業(yè)就開始醞釀商業(yè)化金剛線切割多晶鑄錠的技術(shù)，并逐步解決了金剛線切割多晶鑄錠易斷線、碎片率高、切割速度慢等問題。相對的，硅料浪費減少、每公斤產(chǎn)出片數(shù)多、刀次增加的各種好處浮現(xiàn)，使得多晶硅晶圓每片成本可以大幅下降6～10美分，將成本競爭力轉(zhuǎn)弱為強(qiáng)。

黑硅再起 技術(shù)路線明朗化

盡管解決了金剛線切片的弱點，但傳統(tǒng)蝕刻制程并不適用于多晶金剛線切片的問題仍然存在。而黑硅技術(shù)正是解開金剛線切片這個寶藏的關(guān)鍵鑰匙。

圖1黑硅為多晶市場帶來求贖？

扮演多晶未來發(fā)展關(guān)鍵的黑硅方式，其實是兩個技術(shù)的綜合體，包括了金剛線切割與表面蝕刻這兩大發(fā)展技術(shù)。金剛線切割能有效地降低成本，而表面蝕刻則是提升轉(zhuǎn)換效率的推手。結(jié)合這兩項技術(shù)的產(chǎn)品性價比提升了5.8％，堪稱是有史以來最大的幅度。黑硅后續(xù)發(fā)展更可以再繼續(xù)搭配PERC、雙面等技術(shù)，朝高效路線進(jìn)展。