黑硅技術(shù)助力多晶硅片保持市場主導地位

5月24日，在第十屆上海SNEC論壇光伏科學家大會上，保利協(xié)鑫CTO萬躍鵬博士以“多晶靠什么保持市場領(lǐng)先”為主題，系統(tǒng)性闡述了多晶硅片在市場上保持長期優(yōu)勢的原因以及目前多晶硅片發(fā)展的現(xiàn)狀。他認為，多晶硅片通過黑硅技術(shù)的應用推廣，在未來五到十年內(nèi)還將占領(lǐng)市場主導地位。

　　萬躍鵬表示，黑硅技術(shù)應用于金剛線切硅片制絨將成為未來多晶硅片的一個發(fā)展方向。金剛線切割多晶，可以使單位重量出片數(shù)增加約17%，硅片成本下降約15%（0.4-0.6元/片），保持多晶硅片在成本上的優(yōu)勢；黑硅技術(shù)則能有效提高組件功率，其中干法（RIE）黑硅可促進電池效率提高0.4%-0.6%，處于實驗階段的濕法（MCCE）黑硅可促進電池效率提高0.2%-0.4%。

　　一直以來多晶在市場上都占有著絕對優(yōu)勢，其原因歸功于多晶硅片的高性價比，萬躍鵬援引數(shù)據(jù)指出，高效多晶技術(shù)不斷優(yōu)化晶體結(jié)構(gòu)，目前多晶在晶體缺陷方面與單晶的效率差異大幅降低到0.2%左右，就客戶端表現(xiàn)情況來看，單晶與多晶之間并無明顯差別。加之鑄錠產(chǎn)能提升和結(jié)構(gòu)線等技術(shù)對多晶成本的進一步降低，使得多晶能夠保持市場優(yōu)勢。但近兩年來單晶技術(shù)的發(fā)展使得單晶成本有明顯下降，給多晶造成一定壓力。多晶亟待進一步的技術(shù)升級，才能繼續(xù)以性價比優(yōu)勢主導光伏市場。

　　萬躍鵬表示，除黑硅技術(shù)和金剛線切割以外，多晶路線還有其他技術(shù)優(yōu)勢。他以鑫多晶S4為例指出，多晶可以通過增加鑄錠尺寸，有效降低成本；可以通過應用高純坩堝等先進輔材，有效解決多晶黑邊和轉(zhuǎn)換效率問題；可以應用全新的共摻雜技術(shù)，徹底解決多晶電池的光衰問題，為后續(xù)的PERC等高效工藝提供更寬廣的空間；可以優(yōu)化尺寸設計，有效提高后端組件的輸出功率。這些成功的技術(shù)嘗試，說明了未來多晶路線具備更寬廣的發(fā)展空間。他同時也希望，正在被大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化的PERC電池能夠成為多晶硅片又一個發(fā)展舞臺，在多晶領(lǐng)域?qū)⒌玫礁鼜V泛的應用。萬躍鵬由此預測，未來五到十年內(nèi)，多晶通過技術(shù)升級，還將不斷提升轉(zhuǎn)換效率，降低發(fā)電成本，以高性價比和技術(shù)優(yōu)勢，將繼續(xù)占領(lǐng)市場主導地位。