太陽能級(jí)鑄造多晶硅塊（GB/T 29054-2012）

前言 　　本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T 1.1-2009給出的規(guī)則起草。 　　本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)（SAC/TC 203/SC 2)歸口。 　　本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：江西賽維LDK太陽能高科技有限公司、寧波晶元太陽能有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司、無錫尚德太陽能電力有限公司。 　　本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：萬躍鵬、唐駿、薛抗美、張群社、孫世龍、游達(dá)、朱華英、金虹、劉林艷、段育紅。 　　1范圍 　　本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽能級(jí)鑄造多晶硅塊的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢測(cè)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存等。 　　本標(biāo)準(zhǔn)適用于利用鑄造技術(shù)制備多晶硅片的多晶硅塊。 　　2規(guī)范性引用文件 　　下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。 　　GB/T 1550非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法 　　GB/T 1551硅單晶電阻率測(cè)定方法 　　GB/T 1553硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定光電導(dǎo)衰減法 　　GB/T 1557硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法 　　GB/T 1558硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法 　　GB/T 6616半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)試方法非接觸渦流法 　　GB/T 14264半導(dǎo)體材料術(shù)語 　　SEMI PV1-0709利用高質(zhì)量分辨率輝光放電質(zhì)譜測(cè)量光伏級(jí)硅中微量元素的方法 　　3術(shù)語和定義 　　GB/T 14264界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。 　　3.1 　　硅塊silicon brick 　　一種塊狀半導(dǎo)體，通常為尺寸均勻的長(zhǎng)方體，由多晶硅錠或單晶硅棒切割而成。 　　4分類 　　產(chǎn)品按外形尺寸（長(zhǎng)X寬）分為125mm×125mm和156mm×156mm，且有效高度應(yīng)）100mm，或由供需雙方協(xié)商。 　　5要求 　　5.1外觀質(zhì)量 　　5.1.1在有效高度內(nèi)無目視可見裂紋、崩邊、缺口。 　　5.1.2紅外探傷檢測(cè)結(jié)果不可出現(xiàn)尺寸大于5mm的陰影；每塊多晶硅塊需測(cè)量四個(gè)側(cè)面。 　　5.1.3側(cè)面粗糙度Ra<0.2μM。 　　5.1.4相鄰兩面的垂直度為90°±0.25°，如圖1所示。 　　5.1.5倒角尺寸為1.5mm±0.5mm，倒角角度為450±10°，如圖1所示。 　　5.1.6外形尺寸（長(zhǎng)×寬）偏差±0.5mm。 　　5.2性能 　　性能要求具體見表1，表1中未列出的規(guī)格要求由供需雙方協(xié)商。 　　6試驗(yàn)方法 　　6.1外觀：用目測(cè)檢查。 　　6.2電阻率：按GB/T 1551或GB/T 6616進(jìn)行；應(yīng)盡量避免在晶界處測(cè)量，選擇大晶粒范圍內(nèi)測(cè)量，并選取電阻率測(cè)量平均值，其具體測(cè)量方法由供需雙方協(xié)商。 　　6.3導(dǎo)電類型：按GB/T 1550進(jìn)行。 　　6.4少數(shù)載流子壽命：按GB/T 1553進(jìn)行。 　　6.5間隙氧濃度：按GB/T 1557進(jìn)行。 　　6.6代位碳濃度：按GB/T 1558進(jìn)行。 　　6.7紅外探傷檢測(cè)方法：將太陽能級(jí)鑄造多晶硅塊置于（400-3000）nm紅外光源下，通過攝像機(jī)觀察成像效果。 　　6.8金屬雜質(zhì)和硼含量：選取太陽能級(jí)鑄造多晶硅塊中直徑為（20-40)mm，厚度為(5-20)mm的多晶硅，利用GDMS測(cè)量硼元素和金屬雜質(zhì)含量的操作，其具體操作方法可參考SEMI PV1-0709。 　　6.9側(cè)面粗糙度：用表面粗糙度測(cè)試儀測(cè)得，測(cè)試點(diǎn)在所試表面隨機(jī)獲得。測(cè)試要求測(cè)量硅塊的相鄰兩側(cè)面，兩端面不用測(cè)量。 　　6.10外形尺寸：用游標(biāo)卡尺或相應(yīng)精度的量具進(jìn)行。 　　6.11相鄰兩邊的垂直度：用萬能角尺或相應(yīng)精度的量具進(jìn)行。 　　7檢驗(yàn)規(guī)則 　　7.1檢驗(yàn)和驗(yàn)收 　　7.1.1產(chǎn)品應(yīng)由供方技術(shù)（質(zhì)量）監(jiān)督部門進(jìn)行檢驗(yàn)，保證產(chǎn)品質(zhì)量符合本標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定，并填寫產(chǎn)品質(zhì)量保證書。 　　7.1.2需方可對(duì)收到的產(chǎn)品按本標(biāo)準(zhǔn)（或訂貨合同）的規(guī)定進(jìn)行檢驗(yàn)，若檢驗(yàn)結(jié)果與本標(biāo)準(zhǔn)（或訂貨合同）的規(guī)定不符時(shí)，應(yīng)在收到產(chǎn)品之日起一個(gè)月內(nèi)向供方提出，由供需雙方協(xié)商解決。 　　7.2組批 　　多晶硅塊以批的形式提交驗(yàn)收，應(yīng)由相同規(guī)格多晶硅塊組成。 　　7.3檢驗(yàn)項(xiàng)目及取樣 　　多晶硅塊應(yīng)進(jìn)行紅外探傷、導(dǎo)電類型、電阻率、少數(shù)載流子壽命、外形尺寸及硅塊外觀等項(xiàng)目的檢驗(yàn)。 　　7.4抽樣 　　每批產(chǎn)品隨機(jī)抽取20％的試樣做導(dǎo)電類型、電阻率、少數(shù)載流子壽命檢驗(yàn)，如要求按照其他方案進(jìn)行，由供需雙方商定。 　　7.5檢驗(yàn)結(jié)果的判定 　　紅外探傷、外形尺寸及硅塊外觀檢驗(yàn)若有1項(xiàng)不合格，則該塊多晶硅塊為不合格。除去不合格的多晶硅塊后，余下的多晶硅塊進(jìn)行導(dǎo)電類型，電阻率和少數(shù)載流子壽命檢測(cè)，若有1項(xiàng)不合格，則重復(fù)試驗(yàn)，重復(fù)試驗(yàn)仍不合格，則判該批產(chǎn)品不合格。 　　8標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存 　　8.1標(biāo)志、包裝 　　8.1.1使用防震材料包裝，然后將經(jīng)過包裝的多晶硅塊裝人包裝箱內(nèi)，并裝滿填充物，防止多晶硅塊松動(dòng)，特殊包裝由供需雙方協(xié)商。 　　8.1.2包裝箱外側(cè)應(yīng)有“小心輕放”、“防潮”、“易碎”、“防腐”等標(biāo)識(shí)，并標(biāo)明 　　a)需方名稱，地點(diǎn)； 　　b）產(chǎn)品名稱及規(guī)格； 　　c)產(chǎn)品件數(shù)及重量（毛重／凈重）； 　　d）供方名稱。 　　8.2運(yùn)輸、貯存 　　8.2.1產(chǎn)品在運(yùn)輸過程中應(yīng)輕裝輕卸，勿擠壓，并采取防震、防潮措施。 　　8.2.2產(chǎn)品應(yīng)貯存在清潔、干燥的環(huán)境中。 　　8.3質(zhì)量保證書 　　每批產(chǎn)品應(yīng)有質(zhì)量證明書，寫明： 　　a)供方名稱； 　　b）產(chǎn)品名稱及規(guī)格； 　　c)產(chǎn)品批號(hào)； 　　d)產(chǎn)品凈重及多晶塊數(shù)； 　　e)各項(xiàng)參數(shù)檢驗(yàn)結(jié)果和檢驗(yàn)部門的印記； 　　f)本標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)； 　　g）出廠日期。 　　9訂貨單（或合同）內(nèi)容 　　訂購(gòu)本標(biāo)準(zhǔn)所列產(chǎn)品的訂貨單（或合同）應(yīng)包括下列內(nèi)容： 　　a)產(chǎn)品名稱； 　　b）規(guī)格； 　　c）重量； 　　d)本標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)； 　　e）其他。