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太陽能電池用鍺單晶(GB/T 26072-2010)

來源:新能源網(wǎng)
時間:2015-03-09 16:05:28
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太陽能電池用鍺單晶(GB/T 26072-2010)1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽能電池用鍺單晶棒的術(shù)語、產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則及標(biāo)志、包裝、運輸、貯存、質(zhì)量證明書和訂貨單

1范圍   本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽能電池用鍺單晶棒的術(shù)語、產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則及標(biāo)志、包裝、運輸、貯存、質(zhì)量證明書和訂貨單內(nèi)容。   本標(biāo)準(zhǔn)適用于垂直梯度凝固法(VGF)和直拉法(CZ)制備的太陽能電池用鍺單晶滾圓棒。   2規(guī)范性引用文件   下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。   GB/T 1550非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法   GB/T 1555半導(dǎo)體單晶晶向測定方法   GB/T 4326非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法   GB/T 5252鍺單晶位錯腐蝕坑密度測量方法   GB/T 14264半導(dǎo)體材料術(shù)語   GB/T 14844半導(dǎo)體材料牌號表示方法   GB/T 26074鍺單晶電阻率直流四探針測量方法   3術(shù)語   GB/T 14264界定的術(shù)語和定義適用于本文件。   4要求   4.1分類   鍺單晶棒按導(dǎo)電類型分為n型和P型兩種類型。   4.2牌號   鍺單晶棒的牌號表示按GB/T 14844的規(guī)定。   4.3外形尺寸   鍺單晶棒的外形尺寸應(yīng)符合表1的規(guī)定,如客戶對外形尺寸有特殊要求,供需雙方另行商定。   4.4電學(xué)性能   鍺單晶棒的電學(xué)性能應(yīng)符合表2規(guī)定。   4.5晶向及偏離度   鍺單晶棒的晶向取向為:<100>向<111>偏α±0.5;<100>向<110>偏β±0.5。   4.6外觀質(zhì)量   鍺單晶棒滾圓后的棒體表面及棒的兩個截面上不允許存在超過2m㎡的崩痕或崩邊,棒體表面無星形結(jié)構(gòu)、六角網(wǎng)絡(luò)、孔洞和裂紋。   4.7位錯密度和分布要求   4.7.1位錯密度   不同規(guī)格的鍺單晶按位錯密度分為兩個級別,用A級、B級表示,單晶棒的位錯密度應(yīng)符合表3的規(guī)定。   4.7.2分布要求   在單晶棒尾部檢測樣片直徑2mm的邊緣內(nèi)不允許出現(xiàn)超過1mm長的位錯排或面積超過0.5m㎡的位錯團(tuán)。如在晶棒尾部檢測樣片直徑2mm的邊緣外出現(xiàn)上述位錯排或位錯團(tuán),則不允許位錯排或位錯團(tuán)是向晶棒軸心方向延伸的。   5試驗方法   5.1導(dǎo)電類型檢測   按照GB/T 1550或者GB/T 4326規(guī)定的測量方法進(jìn)行測量。   5.2外形尺寸檢測   用精度為0.02mm的游標(biāo)卡尺進(jìn)行測量。   5.3外觀質(zhì)量   用目視法進(jìn)行觀察和測量。   5.4電阻率檢測   按照GB/T 4326或者GB/T 26074規(guī)定的測量方法進(jìn)行測量。   5.5載流子濃度檢測   按照GB/T 4326規(guī)定的測量方法進(jìn)行測量。   5.6單晶晶向及晶向偏離度檢測   按照GB/T 1555規(guī)定的測量方法進(jìn)行測量。   5.7位錯密度檢測   按照GB/T 5252規(guī)定的測量方法進(jìn)行測量。   6檢驗規(guī)則   6.1檢驗和驗收   6.1.1產(chǎn)品應(yīng)由供方技術(shù)(質(zhì)量)監(jiān)督部門進(jìn)行檢驗,保證產(chǎn)品質(zhì)量符合本標(biāo)準(zhǔn)(或訂貨合同)的規(guī)定,并填寫產(chǎn)品質(zhì)量證明書。   6.1.2需方可對收到的產(chǎn)品按本標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定進(jìn)行檢驗,若檢驗結(jié)果與本標(biāo)準(zhǔn)(或訂貨合同)的規(guī)定不符時,應(yīng)在收到產(chǎn)品之日起三個月內(nèi)向供方提出,由供需雙方協(xié)商解決。   6.2組批   每根鍺單晶棒作為一個組批。   6.3檢驗項目及取樣   首先對每個組批進(jìn)行導(dǎo)電類型、外形尺寸及外觀質(zhì)量的檢驗,然后在合格的每根單晶棒的頭尾部各切一片(晶片)進(jìn)行電阻率、載流子濃度、晶向及晶向偏離度的檢驗,從尾部切一片進(jìn)行位錯密度和分布的檢驗,檢驗項目、取樣及判定依據(jù)見表4。   6.4檢驗結(jié)果的判定   若以上檢驗項目中有任何一項檢驗不合格,則判定該批產(chǎn)品不合格。   7標(biāo)志、包裝、運輸和貯存   7.1包裝、標(biāo)志   7.1.1鍺單晶棒用聚苯烯(泡沫)逐棒包裝,然后將經(jīng)過包裝的晶棒裝人包裝箱內(nèi),并裝滿填充物,防止晶棒松動。   7.1.2包裝箱外側(cè)應(yīng)有“小心輕放”、“防潮”、“易碎”、“防腐”等標(biāo)識,并標(biāo)明:   a)供方名稱、商標(biāo);   b)產(chǎn)品名稱、牌號;   c)產(chǎn)品批號、單晶根數(shù)及重量(毛重/凈重)。   7.2運輸、貯存   7.2.1產(chǎn)品在運輸過程中應(yīng)輕裝輕卸,勿壓勿擠,并采取防震防潮措施。   7.2.2產(chǎn)品應(yīng)貯存在清潔、干燥的環(huán)境中。   7.2.3每批產(chǎn)品應(yīng)有質(zhì)量證明書,寫明:   a)供方名稱、地址、電話、傳真;   b)產(chǎn)品名稱及規(guī)格、牌號;   c)產(chǎn)品批號;   d)產(chǎn)品凈重及單晶根數(shù);   e)各項參數(shù)檢驗結(jié)果和檢驗部門的印記;   f)本標(biāo)準(zhǔn)編號;   g)出廠日期。   8訂貨單內(nèi)容   本標(biāo)準(zhǔn)所列鍺單晶棒的訂貨單內(nèi)容應(yīng)包括下列內(nèi)容:   a)產(chǎn)品名稱;   b)牌號;   c)錠形、尺寸、雜質(zhì)含量等特殊要求;   d)凈重和件數(shù);   e)本標(biāo)準(zhǔn)編號。