太陽(yáng)電池用多晶硅片（GB/T 29055-2012）

前言 　　本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T 1.1-2009給出的規(guī)則起草。 　　本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)（SAC/TC 203/SC 2)歸口。 　　本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：江西賽維LDK太陽(yáng)能高科技有限公司、寧波晶元太陽(yáng)能有限公司、無(wú)錫尚德太陽(yáng)能電力有限公司。 　　本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：萬(wàn)躍鵬、唐駿、孫世龍、游達(dá)、朱華英、劉林艷、段育紅。 　　1范圍 　　本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽(yáng)電池用多晶硅片的術(shù)語(yǔ)定義、符號(hào)及縮略語(yǔ)、產(chǎn)品分類(lèi)、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢測(cè)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存等。 　　本標(biāo)準(zhǔn)適用于鑄錠多晶切片垂直于長(zhǎng)晶方向生產(chǎn)的太陽(yáng)電池用多晶硅片。 　　2規(guī)范性引用文件 　　下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。 　　GB/T 1550非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類(lèi)型測(cè)試方法 　　GB/T 1551硅單晶電阻率測(cè)定方法 　　GB/T 2828.1計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分：按接收質(zhì)量限（AQL)檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃 　　GB/T 6616半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)試方法非接觸渦流法 　　GB/T 6618硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法 　　GB/T 6619硅片彎曲度測(cè)試方法 　　GB/T 14264半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ) 　　GB/T 29054太陽(yáng)能級(jí)鑄造多晶硅塊 　　SEMI MF1535用微波反射非接觸光電導(dǎo)衰減方法測(cè)試硅晶片載流子復(fù)合壽命的方法 　　3術(shù)語(yǔ)和定義 　　GB/T 14264界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。 　　3.1 　　密集線痕dense saw mark 　　硅塊切割時(shí)，在硅片表面留下的密集型劃痕。 　　4外形尺寸分類(lèi) 　　太陽(yáng)電池用多晶硅片的規(guī)格系列見(jiàn)表1，在表1中未列出的尺寸規(guī)格要求由供需雙方協(xié)商。 　　5要求 　　5.1表面質(zhì)量 　　5.1.1硅片外觀要求表面潔凈，無(wú)沽污、色斑、目視裂紋、孔洞等目視缺陷。 　　5.1.2硅片表面允許有深度＜0.5mm，長(zhǎng)度＜1.0mm的崩邊缺陷整片≤2處，不允許“v"型缺角的崩邊缺陷。 　　5.1.3硅片允許有深度＜0.3mm的邊緣缺陷，并且邊緣缺陷的單邊累積長(zhǎng)度應(yīng)<10mm。 　　5.1.4硅片表面允許存在長(zhǎng)度10mm的范圍內(nèi)晶粒的數(shù)量≤10個(gè)。 　　5.2尺寸規(guī)格 　　太陽(yáng)電池用多晶硅片的尺寸偏差應(yīng)符合表2的要求，如用戶有特殊要求時(shí)，由供需雙方協(xié)商。 　　5.3性能 　　5.3.1電阻率：范圍為（0.5-3.0)Ω·cm，或由供需雙方協(xié)商。 　　5.3.2導(dǎo)電類(lèi)型:P29或由供需雙方協(xié)商。 　　5.3.3間隙氧濃度：間隙氧濃度應(yīng)小于8×1017 atoms/cm3，或由供需雙方協(xié)商。 　　5.3.4代位碳濃度：代位碳含量應(yīng)小于5×1017 atoms/cm3，或由供需雙方協(xié)商。 　　5.3.5少子壽命：平均少子壽命應(yīng)大于1 µs，或由供需雙方協(xié)商。 　　6試驗(yàn)方法 　　6.1表面質(zhì)量：在430 lx一650 lx光強(qiáng)度的熒光燈或乳白燈下目視進(jìn)行。 　　6.2外形尺寸：用游標(biāo)卡尺或相應(yīng)精度的量具進(jìn)行。 　　6.3厚度測(cè)量及TTV測(cè)量按GB/T 6618進(jìn)行。 　　6.4彎曲度檢驗(yàn)按GB/T 6619進(jìn)行，或由供需雙方協(xié)商。 　　6.5相鄰兩邊的垂直度：用萬(wàn)能角尺或相應(yīng)精度的量具進(jìn)行。 　　6.6線痕深度取單條線痕最大處用表面粗糙度側(cè)試儀在垂直線痕左右5mm范圍內(nèi)測(cè)量該線痕的極差值（Ry)，當(dāng)存在多條線痕時(shí)應(yīng)進(jìn)行多次測(cè)量取最大值。 　　6.7電阻率檢驗(yàn)按GB/T 1551或GB/T 6616進(jìn)行。 　　6.8導(dǎo)電類(lèi)型檢驗(yàn)按GB/T 1550進(jìn)行。 　　6.9間隙氧濃度的檢驗(yàn)參考GB/T 29054中太陽(yáng)能級(jí)鑄造多晶硅塊的間隙氧含量的測(cè)量結(jié)果。 　　6.10代位碳濃度的檢驗(yàn)參考GB/T 29054中太陽(yáng)能級(jí)鑄造多晶硅塊的代位碳含量的測(cè)量結(jié)果。 　　6.11少子壽命的檢驗(yàn)參考太陽(yáng)能級(jí)鑄造多晶硅塊少子壽命的測(cè)量結(jié)果或SEMI MF1535中太陽(yáng)能級(jí)鑄造多晶硅片的載流子復(fù)合壽命的測(cè)量結(jié)果。 　　7檢驗(yàn)規(guī)則 　　7.1檢驗(yàn)和驗(yàn)收 　　7.1.1產(chǎn)品應(yīng)由供方技術(shù)（質(zhì)量）監(jiān)督部門(mén)進(jìn)行檢驗(yàn)，保證產(chǎn)品質(zhì)量符合本標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定，并填寫(xiě)產(chǎn)品質(zhì)量保證書(shū)。 　　7.1.2需方可對(duì)收到的產(chǎn)品按本標(biāo)準(zhǔn)（或訂貨合同）進(jìn)行檢驗(yàn)，若檢驗(yàn)結(jié)果與本標(biāo)準(zhǔn)（或訂貨合同）的規(guī)定不符時(shí)，應(yīng)在收到產(chǎn)品之日起三個(gè)月內(nèi)向供方提出，由供需雙方協(xié)商解決。 　　7.2組批 　　每批應(yīng)由相同尺寸和相同電阻率范圍硅片組成。 　　7.3檢驗(yàn)項(xiàng)目 　　硅片檢驗(yàn)的項(xiàng)目有：導(dǎo)電類(lèi)型、電阻率范圍、表面質(zhì)量、外形和幾何尺寸等。 　　7.4抽樣及檢驗(yàn)結(jié)果的判定 　　硅片抽樣按GB/T 2828.1正常檢查一次抽樣方案進(jìn)行，具體的抽樣項(xiàng)目、檢查水平和合格質(zhì)量水平如表3所示，或由供需雙方商定。 　　8標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存 　　8.1標(biāo)志、包裝 　　8.1.1產(chǎn)品封裝于相應(yīng)規(guī)格包裝盒及包裝箱內(nèi)，并在包裝盒、箱內(nèi)填滿具有減震作用的填充物，防止硅片和包裝盒松動(dòng)。特殊包裝由供需雙方協(xié)商。 　　8.1.2包裝箱外應(yīng)標(biāo)有“小心輕放”、“防腐”、“防潮”字樣或標(biāo)志，并注明： 　　a)需方名稱，地點(diǎn)； 　　b）產(chǎn)品名稱及規(guī)格； 　　c)產(chǎn)品毛重、凈重； 　　d)產(chǎn)品件數(shù)； 　　e)供方名稱。 　　8.2運(yùn)輸、貯存 　　8.2.1產(chǎn)品在運(yùn)輸過(guò)程中應(yīng)輕裝輕卸，嚴(yán)禁拋擲，勿擠壓，且應(yīng)采取防震、防潮措施。 　　8.2.2產(chǎn)品應(yīng)貯存在清潔、干燥的環(huán)境中。 　　8.3質(zhì)量保證書(shū) 　　每批產(chǎn)品應(yīng)有質(zhì)量證明書(shū)，寫(xiě)明： 　　a)供方名稱； 　　b）產(chǎn)品名稱及規(guī)格； 　　c)產(chǎn)品批號(hào)； 　　d)產(chǎn)品片數(shù)； 　　e)各項(xiàng)參數(shù)檢驗(yàn)結(jié)果和檢驗(yàn)部門(mén)的印記； 　　f)本標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)； 　　g）出廠日期。 　　9訂貨單（或合同）內(nèi)容 　　訂購(gòu)本標(biāo)準(zhǔn)所列產(chǎn)品的訂貨單（或合同）應(yīng)包括下列內(nèi)容： 　　a)外形和尺寸； 　　b)型號(hào)； 　　c）數(shù)量； 　　d）本標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)； 　　e）其他。