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日本科學(xué)家們開發(fā)出ZHR方法改進(jìn)薄膜單晶硅的制造工藝
日本科學(xué)家們開發(fā)出ZHR方法改進(jìn)薄膜單晶硅的制造工藝:日本東京工業(yè)大學(xué)和早稻田大學(xué)的一個(gè)聯(lián)合研究小組開發(fā)出一種新型薄膜單晶硅太陽能電池生產(chǎn)技術(shù),這項(xiàng)新技術(shù)有望極大降低大規(guī)模生產(chǎn)的成
:日本東京工業(yè)大學(xué)和早稻田大學(xué)的一個(gè)聯(lián)合研究小組開發(fā)出一種新型薄膜單晶硅太陽能電池生產(chǎn)技術(shù),這項(xiàng)新技術(shù)有望極大降低大規(guī)模生產(chǎn)的成本,同時(shí)還能保持較高的電池效率。
科學(xué)家們聲稱,他們能研制出一種優(yōu)質(zhì)薄膜單晶硅,其厚度約為10μm、且晶體缺陷密度被降低。其硅密度降低到硅晶片的水平,而增長(zhǎng)速度超出先前的10倍以上。
研究人員通過一種區(qū)域加熱重結(jié)晶方法(ZHR法),將表面粗糙度降低到0.2-0.3nm?;兹缓笠愿咚偕L(zhǎng),生產(chǎn)出具有高晶體質(zhì)量的單晶薄膜。利用雙層多孔硅層可以很容易將長(zhǎng)好的薄膜剝離下來,基底可重復(fù)使用或作為薄膜生長(zhǎng)的蒸發(fā)源,從而大幅減少了材料損失。這一工藝同時(shí)顯示,表面粗糙度在0.1-0.2nm范圍以內(nèi)對(duì)晶體缺陷的形成具有重要影響。
科學(xué)家們?cè)诼暶髦斜硎荆@種薄膜硅作為低成本的底部電池,應(yīng)用在串聯(lián)型太陽能電池中,其效率有可能超過30%。
原標(biāo)題:日本科學(xué)家們開發(fā)出ZHR方法改進(jìn)薄膜單晶硅的制造工藝
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