使用 GaN FET 器件實(shí)現(xiàn)的高效升壓電路示例

    氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 是下一代射頻功率晶體管技術(shù)的一部分，它們是新型高頻器件，它們是遷移率更高，允許以的功耗和更低的傳導(dǎo)損耗傳輸高電流率。
    升壓電路示例，輸入和輸出電壓等于 240V – 400V 的 DC-DC CCM 升壓轉(zhuǎn)換器示例，下圖是10kW的解決方案，其轉(zhuǎn)換通過100 kHz開關(guān)信號(hào)驅(qū)動(dòng)。相應(yīng)的圖表還顯示了開關(guān)和驅(qū)動(dòng)頻率為50 kHz、70 kHz和100 kHz時(shí)的效率曲線。
    它的特征是
    柵極驅(qū)動(dòng)器 = Si8285 （4 A）
    柵極電壓 = 0 V -12 V
    Rg，開啟 = 5 歐姆
    Rg，關(guān)閉 = 15 歐姆
    死區(qū)時(shí)間 = 300 ns
    鐵氧體磁珠 = 120 歐姆（100 MHz 時(shí)）

    直流緩沖器 = 10 nF + 2 歐姆。