溝槽 最新動(dòng)態(tài)

綠色、節(jié)能溝槽式連接產(chǎn)品及其解決方案——訪唯特利亞太區(qū)副總裁兼總經(jīng)理夏凱奇【摘要】:唯特利公司(Victaulic Company of America)的溝槽式連接方案全面革新了
2024-08-19
學(xué)術(shù)論文 快訊
天然氣井油管腐蝕溝槽的形成原因【摘要】:借助X—衍射分析、X—光電子能譜分析、掃描電鏡能譜分析和電子探針?lè)治龅缺砻娣治黾案g試驗(yàn)方法 ,對(duì)氣井油管腐蝕溝槽的形成原因及特點(diǎn)進(jìn)行了分析
2024-08-19
靖邊氣田奧陶系溝槽精細(xì)刻畫(huà)及其與天然氣富集關(guān)系【摘要】:靖邊氣田勘探開(kāi)發(fā)實(shí)踐表明,井間溝槽展布特征對(duì)開(kāi)發(fā)鉆井成功率具有重要影響。綜合運(yùn)用實(shí)鉆井地層對(duì)比法、地震波形識(shí)別法及時(shí)窗滑移法
2024-08-19
ROHM:率先量產(chǎn)溝槽型SiC-MOSFET,看好太陽(yáng)能、工業(yè)等領(lǐng)域前景【摘要】:正ROHM近日于世界率先開(kāi)發(fā)出采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET,并已建立起了完備的量產(chǎn)體制。與已
2024-08-18
水利水電明挖施工項(xiàng)目的爆破開(kāi)挖技術(shù)研究【摘要】:隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展,水利水電工程在當(dāng)下得到了廣泛地應(yīng)用,水利水電工程建設(shè)過(guò)程中,需要進(jìn)行爆破開(kāi)挖,在這一過(guò)程中,確保爆破開(kāi)挖的安
2024-08-18
專家說(shuō) 快訊
廁所節(jié)水器【專家解說(shuō)】:廁所節(jié)水器廁所節(jié)水器包含溝槽中的大小便器,專用于帶溝槽式的衛(wèi)生間中(大便槽帶自動(dòng)水箱,小便槽無(wú)需帶水箱),通過(guò)人體感應(yīng)來(lái)達(dá)到節(jié)水目的的產(chǎn)品,最常見(jiàn)的是虹吸式
2024-08-17
專家說(shuō) 快訊
預(yù)制薄型地暖是什么【專家解說(shuō)】:預(yù)制薄型地暖是低溫地板輻射采暖的一種,在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上從施工及系統(tǒng)性能上進(jìn)行了綜合考慮,將保溫層、反射層和溝槽結(jié)構(gòu)保護(hù)層進(jìn)行了工廠化預(yù)制輻射模塊,厚度僅
2024-08-17
專家說(shuō) 快訊
什么是溝槽效應(yīng)【專家解說(shuō)】:又稱空氣間隙效應(yīng)。是指當(dāng)炸藥柱與炮孔壁間有間隙時(shí),可能發(fā)生爆轟中斷或由爆轟轉(zhuǎn)變?yōu)槿紵默F(xiàn)象。這種現(xiàn)象一旦出現(xiàn),不但降低爆破效果,而且在沼氣礦井內(nèi)進(jìn)行爆破
2024-08-17
專家說(shuō) 快訊
北京哪里買溝槽熱管【專家解說(shuō)】:煙臺(tái)科近傳熱技術(shù)開(kāi)發(fā)有限公司可根據(jù)用戶的不同需要為用戶設(shè)計(jì)整套產(chǎn)品,并提供高、中、低溫?zé)峁墚a(chǎn)品的使用解決方案。經(jīng)營(yíng)的熱管產(chǎn)品如下:
工質(zhì)熱管產(chǎn)品:
2024-08-17
專家說(shuō) 快訊
工程中什么叫溝槽【專家解說(shuō)】:又稱空氣間隙效應(yīng)。當(dāng)炸藥柱與炮孔壁間有間隙時(shí),可能發(fā)生爆轟中斷或由爆轟轉(zhuǎn)變?yōu)槿紵默F(xiàn)象。這種現(xiàn)象一旦出現(xiàn),不但降低爆破效果,而且在沼氣礦井內(nèi)進(jìn)行爆破作
2024-08-17
Nexperia 的溝槽肖特基二極管提高電源效率通常,異步開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 的主要損耗源是二極管的非理想特性。解決此問(wèn)題的一種方法是使用同步 SMPS,其中二極管被受控
2023-04-25
Nexperia 的溝槽肖特基二極管提高電源效率通常,異步開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 的主要損耗源是二極管的非理想特性。解決此問(wèn)題的一種方法是使用同步 SMPS,其中二極管被受控
2023-04-25
羅姆(ROHM)第4代:技術(shù)回顧 羅姆今年發(fā)布了他們的第4代(Gen4)金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)產(chǎn)品。新系列包括額定電壓為750 V(從650 V提升至750 V)和
2023-03-09
羅姆(ROHM)第4代:技術(shù)回顧 羅姆今年發(fā)布了他們的第4代(Gen4)金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)產(chǎn)品。新系列包括額定電壓為750 V(從650 V提升至750 V)和
2023-03-09
雷神山醫(yī)院建設(shè)進(jìn)度過(guò)半 隔離病區(qū)整體效果圖公布楚天都市報(bào)1月31日訊(記者黎先才 通訊員 韓成林 蘇章 李一丹 胡琛 駱良)記者剛剛獲悉,由武漢地產(chǎn)集團(tuán)組織實(shí)施、中建三局承建的雷神
2020-02-01
雷神山醫(yī)院建設(shè)進(jìn)度過(guò)半 隔離病區(qū)整體效果圖公布楚天都市報(bào)1月31日訊(記者黎先才 通訊員 韓成林 蘇章 李一丹 胡琛 駱良)記者剛剛獲悉,由武漢地產(chǎn)集團(tuán)組織實(shí)施、中建三局承建的雷神
2020-02-01
高壓LED基本結(jié)構(gòu)及關(guān)鍵技術(shù)最近幾年由于技術(shù)及效率的進(jìn)步,LED的應(yīng)用越來(lái)越廣;隨著LED應(yīng)用的升級(jí),市場(chǎng)對(duì)于LED的需求,也朝更大功率及更高亮度,也就是通稱的高功率LED方向發(fā)展
2015-03-06
LED芯片及LED器件的測(cè)試分選LED的分選有兩種方法:一是以芯片為基礎(chǔ)的測(cè)試分選,二是對(duì)封裝好的LED進(jìn)行測(cè)試分選。(1)芯片的測(cè)試分選LED芯片分選難度很大,主要原因是LED芯
2015-03-06