ddr4內(nèi)存插槽針腳定義

DDR4內(nèi)存條插槽的針腳數(shù)取決于內(nèi)存條的針腳數(shù)，目前DDR4內(nèi)存條插槽是288針腳的，和內(nèi)存條一一對應(yīng)，所以沒有268管腳的。

DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日，三星電子完成史上第一條DDR4內(nèi)存。DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點(diǎn)：16bit預(yù)取機(jī)制（DDR3為8bit），同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍；更可靠的傳輸規(guī)范，數(shù)據(jù)可靠性進(jìn)一步提升；工作電壓降為1.2V，更節(jié)能。

數(shù)據(jù)規(guī)格：

DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范仍未最終定奪。三星這條樣品屬于UDIMM類型，容量為2GB，運(yùn)行電壓只有1.2V，工作頻率為2133MHz，而且憑借新的電路架構(gòu)最高可以達(dá)到3200MHz。

相比之下，DDR3內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)頻率最高僅為1600MHz，運(yùn)行電壓一般為1.5V，節(jié)能版也有1.35V。僅此一點(diǎn)，DDR4內(nèi)存就可以節(jié)能最多40%。

三星表示，這條DDR4內(nèi)存使用了曾出現(xiàn)在高端顯存顆粒上的“PseudoOpenDrain”(虛擬開漏極)技術(shù)，在讀取、寫入數(shù)據(jù)的時候漏電率只有DDR3內(nèi)存的一半。