光刻技術(shù)的原理是什么？

熱心網(wǎng)友：光刻技術(shù)的原理集成電路制造中利用光學(xué)- 化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個(gè)數(shù)量級(jí)（從毫米級(jí)到亞微米級(jí)），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長(zhǎng)已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃數(shù)量級(jí)范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)?！　」饪碳夹g(shù)是在一片平整的硅片上構(gòu)建半導(dǎo)體MOS管和電路的基礎(chǔ)，這其中包含有很多步驟與流程。首先要在硅片上涂上一層耐腐蝕的光刻膠，隨后讓強(qiáng)光通過一塊刻有電路圖案的鏤空掩模板（MASK）照射在硅片上。被照射到的部分(如源區(qū)和漏區(qū))光刻膠會(huì)發(fā)生變質(zhì)，而構(gòu)筑柵區(qū)的地方不會(huì)被照射到，所以光刻膠會(huì)仍舊粘連在上面。接下來就是用腐蝕性液體清洗硅片，變質(zhì)的光刻膠被除去，露出下面的硅片，而柵區(qū)在光刻膠的保護(hù)下不會(huì)受到影響。隨后就是粒子沉積、掩膜、刻線等操作，直到最后形成成品晶片（WAFER）。

熱心網(wǎng)友：光刻技術(shù)就是在需要刻蝕的表面涂抹光刻膠，干燥后把圖形底片覆蓋其上，有光源照射，受光部分即可用藥水洗掉膠膜，沒有膠膜的部分即可用濃酸濃堿腐蝕表面。腐蝕好以后再洗掉其余的光刻膠。現(xiàn)在為了得到細(xì)微的光刻線條使用紫外線甚至X射線作為光源。實(shí)際情況遠(yuǎn)比敘述的復(fù)雜，為了能夠理解簡(jiǎn)單說說是這樣。

熱心網(wǎng)友：概述RDJ-I正型光刻膠是液晶顯示器用正性光刻膠，可同時(shí)適用于TN/STN/FTN?LCD、VFD制作，具有高感度，高粘附性，高分辨率，良好的涂布性能等優(yōu)點(diǎn)。RDJ-I正型光刻膠采用環(huán)保溶劑。RDJ-I正型光刻膠一般規(guī)格有30mpa.s，40mpa.s，50?mpa.s，使用時(shí)可根據(jù)需要稀釋成不同固含量和粘度。技術(shù)指標(biāo)如下表：顏色磚紅色粘度(25℃,VT-04E/F)20-50?mpa.s基板ITO玻璃(30Ω)涂膜厚度1.3—1.8um前烤100x90sec(熱板)曝光60-100mj/cm2顯影0.8%?KOHx60sec后烤熱板120℃×120sec蝕刻HNO3:HCl:H2O=4：23：73@40℃剝離4%NaOH@50℃×120sec貯存期限（25℃以下暗處貯存）6個(gè)月操作工藝參數(shù)：1．涂布：23℃，輥涂，膜厚1.1-1.8μm；2．前烤：100℃x90sec(熱板)，烤道100℃3—5分鐘；3．曝光：90mj/cm2；4．顯影：23℃，0.4%?NaOH，1min，噴淋或浸漬；5．后烤：熱板120℃×120sec，烤120℃,3-5分鐘；6．蝕刻：45℃，F(xiàn)eCl3/HCl或HNO3/?HCl；7．剝離：23℃??4-6%?NaOH

熱心網(wǎng)友：光刻是通過一系列生產(chǎn)步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去的工藝在此之后，晶圓表面會(huì)留下帶有微圖形結(jié)構(gòu)的薄膜。被除去的部分可能形狀是薄膜內(nèi)的孔或是殘留的島狀部分。

熱心網(wǎng)友：集成電路制造中利用光學(xué)- 化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個(gè)數(shù)量級(jí)（從毫米級(jí)到亞微米級(jí)），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長(zhǎng)已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃數(shù)量級(jí)范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。兩種工藝：①光復(fù)印工藝②刻蝕工藝