什么是少子壽命

【專家解說】：少子，即少數(shù)載流子，是半導(dǎo)體物理的概念。 它相對(duì)于多子而言。 　　半導(dǎo)體材料中有電子和空穴兩種載流子。如果在半導(dǎo)體材料中某種載流子占少數(shù)，導(dǎo)電中起到次要作用，則稱它為少子。如，在 N型半導(dǎo)體中,空穴是少數(shù)載流子，電子是多數(shù)載流子；在P型半導(dǎo)體中,空穴是多數(shù)載流子,電子是少數(shù)載流子。 　　多子和少子的形成:五價(jià)元素的原子有五個(gè)價(jià)電子，當(dāng)它頂替晶格中的四價(jià)硅原子時(shí)，每個(gè)五價(jià)元素原子中的四個(gè)價(jià)電子與周圍四個(gè)硅原子以共價(jià)鍵形式相結(jié)合，而余下的一個(gè)就不受共價(jià)鍵束縛，它在室溫時(shí)所獲得的熱能足以便它掙脫原子核的吸引而變成自由電子。出于該電子不是共價(jià)鍵中的價(jià)電子，因而不會(huì)同時(shí)產(chǎn)生空穴。而對(duì)于每個(gè)五價(jià)元素原子，盡管它釋放出一個(gè)自由電子后變成帶一個(gè)電子電荷量的正離子，但它束縛在晶格中，不能象載流子那樣起導(dǎo)電作用。這樣，與本征激發(fā)濃度相比，N型半導(dǎo)體中自由電子濃度大大增加了，而空穴因與自由電子相遇而復(fù)合的機(jī)會(huì)增大，其濃度反而更小了。 　　少子濃度主要由本征激發(fā)決定，所以受溫度影響較大。 香港永先 單晶少子壽命測(cè)試儀 >> 單晶少子壽命測(cè)試儀產(chǎn)品名稱：LT-2單晶少子壽命測(cè)試儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介：少數(shù)載流子壽命(簡(jiǎn)稱少子壽命)是半導(dǎo)體材料的一項(xiàng)重要參數(shù),它對(duì)半導(dǎo)體器件的性能、太陽(yáng)能電池的效率都有重要的影響.我們采用微波反射光電導(dǎo)衰減法研制了一臺(tái)半導(dǎo)體材料少子壽命測(cè)試儀,本文將對(duì)測(cè)試儀的實(shí)驗(yàn)裝置、測(cè)試原理及程序計(jì)算進(jìn)行了較詳細(xì)的介紹,并與國(guó)外同類產(chǎn)品的測(cè)試進(jìn)行比較,結(jié)果表明本測(cè)試儀測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確、重復(fù)性高,適合少子壽命的實(shí)驗(yàn)室研究和工業(yè)在線測(cè)試. 技術(shù)參數(shù)：測(cè)試單晶電阻率范圍>2Ω.cm少子壽命測(cè)試范圍10μS～5000μS配備光源類型波長(zhǎng)：1.09μm；余輝<1 μS； 閃光頻率為：20～30次／秒； 閃光頻率為：20～30次／秒；高頻振蕩源用石英諧振器，振蕩頻率：30MHz前置放大器放大倍數(shù)約25，頻寬2 Hz-1 MHz儀器測(cè)量重復(fù)誤差<±20％測(cè)量方式采用對(duì)標(biāo)準(zhǔn)曲線讀數(shù)方式儀器消耗功率<25W儀器工作條件溫度： 10-35℃、 濕度 < 80％、使用電源：AC 220V，50Hz可測(cè)單晶尺寸斷面豎測(cè)：φ25mm—150mm； L 2mm—500mm； 縱向臥測(cè)：φ25mm—150mm； L 50mm—800mm；配用示波器頻寬0—20MHz； 電壓靈敏：10mV／cm；LT-2型單晶少子壽命測(cè)試儀是參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的,用于測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，是半導(dǎo)體的常規(guī)測(cè)試項(xiàng)目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測(cè)量包括集成電路級(jí)硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶，以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測(cè)量等。 本儀器根據(jù)國(guó)際通用方法高頻光電導(dǎo)衰退法的原理設(shè)計(jì)，由穩(wěn)壓電源、高頻源、檢波放大器，特制的InGaAsp／InP紅外光源及樣品臺(tái)共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。整機(jī)結(jié)構(gòu)緊湊、測(cè)量數(shù)據(jù)可靠。