多晶硅電池 單晶硅電池什么差別

單晶硅和多晶硅的區(qū)別是：
當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅。
如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則形成多晶硅。
多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。例如在力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面，多晶硅均不如單晶硅。多晶硅可作為拉制單晶硅的原料。單晶硅可算得上是世界上最純凈的物質(zhì)了，一般的半導(dǎo)體器件要求硅的純度六個(gè)9以上。大規(guī)模集成電路的要求更高，硅的純度必須達(dá)到九個(gè)9。目前，人們已經(jīng)能制造出純度為十二個(gè)9 的單晶硅。單晶硅是電子計(jì)算機(jī)、自動(dòng)控制系統(tǒng)等現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)中不可缺少的基本材料。
多晶硅是制造單晶硅的原料。 
在電池方面：
單晶硅太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)化的效率更高一點(diǎn)。
單晶硅與多晶硅的區(qū)別在于它們的原子結(jié)構(gòu)排列 單晶是有序排列 多晶是無(wú)序排列 主要是有它們的加工工藝決定的 多晶多采用澆注法生產(chǎn),就是直接把硅料倒入堝中融化定型 而單晶是采取西門(mén)子法改良直拉,直拉過(guò)程就是一個(gè)原子結(jié)構(gòu)重組的過(guò)程。

一般情況下良好的單晶硅的純度要求要達(dá)到99.9999%甚至更高。
發(fā)電量就按電池輸出電壓電流做的功算唄。
因?yàn)樘?yáng)能電池板很復(fù)雜，首先是吸收太陽(yáng)光能，轉(zhuǎn)換為電能，算是充電過(guò)程，然后太陽(yáng)能電池再放電，一般情況狂電池最關(guān)注的效率，現(xiàn)在好像最高可以達(dá)到百分30~40。
就是輸出電流電壓比輸入電流電壓。