單晶硅片的少子壽命和多晶硅片的少子壽命？

【專(zhuān)家解說(shuō)】：um（微米）是長(zhǎng)度單位，是指少子的擴(kuò)散長(zhǎng)度；少子壽命的單位是us（微秒） 少子擴(kuò)散長(zhǎng)度和少子壽命基本上是等同的，一個(gè)是指能“跑多遠(yuǎn)”，一個(gè)是指能“活多久”，表述不同而已 少子壽命是越大越好，就目前的太陽(yáng)能級(jí)硅來(lái)說(shuō)能有5us已經(jīng)不錯(cuò)了，如果太低（如小于1us）將嚴(yán)重影響電池效率?，F(xiàn)在太陽(yáng)能企業(yè)要求越來(lái)越高,多晶要求大于2,單晶要求大于10。 處于熱平衡狀態(tài)下的半導(dǎo)體，在一定溫度下，載流子的濃度是一定的，稱(chēng)為平衡載流子濃度, 如果對(duì)半導(dǎo)體施加外界作用,破壞了熱平衡的條件，稱(chēng)為非平衡狀態(tài)。比平衡狀態(tài)多出來(lái)的這部分載流子稱(chēng)為非平衡載流子。非平衡載流子分為非平衡多數(shù)載流子和非平衡少數(shù)載流子, 對(duì)于n型半導(dǎo)體材料，多出來(lái)的電子就是非平衡多數(shù)載流子,空穴則是非平衡少數(shù)載流子。對(duì)p型半導(dǎo)體材料則相反, 產(chǎn)生非平衡載流子的外界作用撤除以后，它們要逐漸衰減以致消失，最后載流子濃度恢復(fù)到平衡時(shí)的值, 非平衡少數(shù)載流子的平均生存時(shí)間稱(chēng)為非平衡少數(shù)載流子的壽命,簡(jiǎn)稱(chēng)少子壽命。