請教多晶硅與單晶硅的基礎(chǔ)知識及生產(chǎn)工藝

【專家解說】：單晶硅和多晶硅的區(qū)別是，當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時,硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅。如果這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則形成多晶硅。多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。例如在力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面，多晶硅均不如單晶硅。多晶硅可作為拉制單晶硅的原料。單晶硅可算得上是世界上最純凈的物質(zhì)了，一般的半導(dǎo)體器件要求硅的純度六個9以上。大規(guī)模集成電路的要求更高，硅的純度必須達(dá)到九個9。目前，人們已經(jīng)能制造出純度為十二個9 的單晶硅。單晶硅是電子計算機、自動控制系統(tǒng)等現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)中不可缺少的基本材料。 多晶硅的生產(chǎn)工藝主要由高純石英（經(jīng)高溫焦碳還原）→工業(yè)硅（酸洗）→硅粉（加HCL）→SiHCL3（經(jīng)過粗餾精餾）→高純SiHCL3（和H2反應(yīng)CVD工藝）→高純多晶硅 國內(nèi)的多晶硅單價主要看純度，純度在9個9的很少，價格應(yīng)該在2500以上了！詳細(xì)價格不定， 單晶硅生產(chǎn)工藝主要有兩種，一種是直拉法，一種是區(qū)熔法。工藝的介紹也可以在網(wǎng)上找得到。 單晶硅片的單價是論片算，不會按噸算的，這里還要區(qū)分是太陽能級還是IC級，這里我只知道關(guān)于6寸太陽能級硅片，每片價格在53元左右 單晶硅的制造方法和設(shè)備 1、一種單晶硅壓力傳感器制造方法及其結(jié)構(gòu) 2、單晶硅生產(chǎn)裝置 3、制造單晶硅的設(shè)備 4、單晶硅直徑測定法及其設(shè)備 5、單晶硅直徑控制法及其設(shè)備 【單晶硅】 英文名： Monocrystalline silicon 分子式： Si 硅的單晶體。具有基本完整的點陣結(jié)構(gòu)的晶體。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導(dǎo)材料。純度要求達(dá)到99.9999％，甚至達(dá)到99.9999999％以上。用于制造半導(dǎo)體器件、太陽能電池等。用高純度的多晶硅在單晶爐內(nèi)拉制而成。 熔融的單質(zhì)硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結(jié)合起來便結(jié)晶成單晶硅。單晶硅具有準(zhǔn)金屬的物理性質(zhì)，有較弱的導(dǎo)電性，其電導(dǎo)率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導(dǎo)電性。超純的單晶硅是本征半導(dǎo)體。在超純單晶硅中摻入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其導(dǎo)電的程度，而形成p型硅半導(dǎo)體；如摻入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高導(dǎo)電程度，形成n型硅半導(dǎo)體。單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。單晶硅主要用于制作半導(dǎo)體元件。 用途： 是制造半導(dǎo)體硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開關(guān)器件等 單晶硅是一種比較活潑的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分，處于新材料發(fā)展的前沿。其主要用途是用作半導(dǎo)體材料和利用太陽能光伏發(fā)電、供熱等。由于太陽能具有清潔、環(huán)保、方便等諸多優(yōu)勢，近三十年來，太陽能利用技術(shù)在研究開發(fā)、商業(yè)化生產(chǎn)、市場開拓方面都獲得了長足發(fā)展，成為世界快速、穩(wěn)定發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)之一。 單晶硅建設(shè)項目具有巨大的市場和廣闊的發(fā)展空間。在地殼中含量達(dá)25.8%的硅元素，為單晶硅的生產(chǎn)提供了取之不盡的源泉。 近年來，各種晶體材料，特別是以單晶硅為代表的高科技附加值材料及其相關(guān)高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，成為當(dāng)代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的支柱，并使信息產(chǎn)業(yè)成為全球經(jīng)濟發(fā)展中增長最快的先導(dǎo)產(chǎn)業(yè)。單晶硅作為一種極具潛能，亟待開發(fā)利用的高科技資源，正引起越來越多的關(guān)注和重視。 【多晶硅】 polycrystalline silicon 性質(zhì)：灰色金屬光澤。密度2.32~2.34。熔點1410℃。沸點2355℃。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和鹽酸。硬度介于鍺和石英之間，室溫下質(zhì)脆，切割時易碎裂。加熱至800℃以上即有延性，1300℃時顯出明顯變形。常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應(yīng)。高溫熔融狀態(tài)下，具有較大的化學(xué)活潑性，能與幾乎任何材料作用。具有半導(dǎo)體性質(zhì)，是極為重要的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，但微量的雜質(zhì)即可大大影響其導(dǎo)電性。電子工業(yè)中廣泛用于制造半導(dǎo)體收音機、錄音機、電冰箱、彩電、錄像機、電子計算機等的基礎(chǔ)材料。由干燥硅粉與干燥氯化氫氣體在一定條件下氯化，再經(jīng)冷凝、精餾、還原而得。 多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來，就結(jié)晶成多晶硅。多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。例如，在力學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)和熱學(xué)性質(zhì)的各向異性方面，遠(yuǎn)不如單晶硅明顯；在電學(xué)性質(zhì)方面，多晶硅晶體的導(dǎo)電性也遠(yuǎn)不如單晶硅顯著，甚至于幾乎沒有導(dǎo)電性。在化學(xué)活性方面，兩者的差異極小。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區(qū)別，但真正的鑒別須通過分析測定晶體的晶面方向、導(dǎo)電類型和電阻率等。 一、國際多晶硅產(chǎn)業(yè)概況 當(dāng)前，晶體硅材料（包括多晶硅和單晶硅）是最主要的光伏材料，其市場占有率在90％以上,而且在今后相當(dāng)長的一段時期也依然是太陽能電池的主流材料。多晶硅材料的生產(chǎn)技術(shù)長期以來掌握在美、日、德等3個國家7個公司的10家工廠手中，形成技術(shù)封鎖、市場壟斷的狀況。 多晶硅的需求主要來自于半導(dǎo)體和太陽能電池。按純度要求不同，分為電子級和太陽能級。其中，用于電子級多晶硅占55％左右，太陽能級多晶硅占45％，隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，太陽能電池對多晶硅需求量的增長速度高于半導(dǎo)體多晶硅的發(fā)展，預(yù)計到2008年太陽能多晶硅的需求量將超過電子級多晶硅。 1994年全世界太陽能電池的總產(chǎn)量只有69MW，而2004年就接近1200MW，在短短的10年里就增長了17倍。專家預(yù)測太陽能光伏產(chǎn)業(yè)在二十一世紀(jì)前半期將超過核電成為最重要的基礎(chǔ)能源之一。 據(jù)悉，美國能源部計劃到2010年累計安裝容量4600MW，日本計劃2010年達(dá)到5000MW，歐盟計劃達(dá)到6900MW，預(yù)計2010年世界累計安裝量至少18000MW。從上述的推測分析，至2010年太陽能電池用多晶硅至少在30000噸以上，表2給出了世界太陽能多晶硅工序的預(yù)測。據(jù)國外資料分析報道，世界多晶硅的產(chǎn)量2005年為28750噸，其中半導(dǎo)體級為20250噸，太陽能級為8500噸，半導(dǎo)體級需求量約為19000噸，略有過剩；太陽能級的需求量為15000噸，供不應(yīng)求，從2006年開始太陽能級和半導(dǎo)體級多晶硅需求的均有缺口，其中太陽能級產(chǎn)能缺口更大。 據(jù)日本稀有金屬雜質(zhì)2005年11月24日報道，世界半導(dǎo)體與太陽能多晶硅需求緊張，主要是由于以歐洲為中心的太陽能市場迅速擴大，預(yù)計2006年，2007年多晶硅供應(yīng)不平衡的局面將為愈演愈烈，多晶硅價格方面半導(dǎo)體級與太陽能級原有的差別將逐步減小甚至消除，2005年世界太陽能電池產(chǎn)量約1GW，如果以1MW用多晶硅12噸計算，共需多晶硅是1.2萬噸，2005－2010年世界太陽能電池平均年增長率在25％，到2010年全世界半導(dǎo)體用于太陽能電池用多晶硅的年總的需求量將超過6.3萬噸。 世界多晶硅主要生產(chǎn)企業(yè)有日本的Tokuyama、三菱、住友公司、美國的Hemlock、Asimi、SGS、MEMC公司，德國的Wacker公司等，其年產(chǎn)能絕大部分在1000噸以上，其中Tokuyama、Hemlock、Wacker三個公司生產(chǎn)規(guī)模最大，年生產(chǎn)能力均在3000－5000噸。 國際多晶硅主要技術(shù)特征有以下兩點： （1）多種生產(chǎn)工藝路線并存，產(chǎn)業(yè)化技術(shù)封鎖、壟斷局面不會改變。由于各多晶硅生產(chǎn)工廠所用主輔原料不盡相同，因此生產(chǎn)工藝技術(shù)不同；進(jìn)而對應(yīng)的多晶硅產(chǎn)品技術(shù)經(jīng)濟指標(biāo)、產(chǎn)品質(zhì)量指標(biāo)、用途、產(chǎn)品檢測方法、過程安全等方面也存在差異，各有技術(shù)特點和技術(shù)秘密，總的來說，目前國際上多晶硅生產(chǎn)主要的傳統(tǒng)工藝有：改良西門子法、硅烷法和流化床法。其中改良西門子工藝生產(chǎn)的多晶硅的產(chǎn)能約占世界總產(chǎn)能的80％，短期內(nèi)產(chǎn)業(yè)化技術(shù)壟斷封鎖的局面不會改變。 （2）新一代低成本多晶硅工藝技術(shù)研究空前活躍。除了傳統(tǒng)工藝（電子級和太陽能級兼容）及技術(shù)升級外，還涌現(xiàn)出了幾種專門生產(chǎn)太陽能級多晶硅的新工藝技術(shù)，主要有：改良西門子法的低價格工藝；冶金法從金屬硅中提取高純度硅；高純度SiO2直接制??；熔融析出法（VLD：Vaper to liquid deposition）；還原或熱分解工藝；無氯工藝技術(shù)，Al－Si溶體低溫制備太陽能級硅；熔鹽電解法等。 二、國內(nèi)多晶硅產(chǎn)業(yè)概況 我國集成電路的增長，硅片生產(chǎn)和太陽能電池產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，大大帶動多晶硅材料的增長。 太陽能電池用多晶硅按每生產(chǎn)1MW多晶硅太陽能電池需要11－12噸多晶硅計算，我國2004年多晶、單晶太陽能電池產(chǎn)量為48.45MW，多晶硅用量為678噸左右，而實際產(chǎn)能已達(dá)70MW左右，多晶硅缺口達(dá)250噸以上。到2005年底國內(nèi)太陽能電池產(chǎn)能達(dá)到300MW，實際能形成的產(chǎn)量約為110MW，需要多晶硅1400噸左右，預(yù)測到2010年太陽能電池產(chǎn)量達(dá)300MW，需要多晶硅保守估計約4200噸，因此太陽能電池的生產(chǎn)將大大帶動多晶硅需求的增加，見表3。 2005年中國太陽能電池用單晶硅企業(yè)開工率在20％－30％，半導(dǎo)體用單晶硅企業(yè)開工率在80％－90％，都不能滿負(fù)荷生產(chǎn)，主要原因是多晶硅供給量不足所造成的。預(yù)計多晶硅生產(chǎn)企業(yè)擴產(chǎn)后的產(chǎn)量，仍然滿足不了快速增長的需要。 2005年全球太陽能電池用多晶硅供應(yīng)量約為10448噸，而2005年太陽能用硅材料需求量約為22881噸，如果太陽能電池用多晶硅需求量按占總需求量的65%計，則太陽能電池用多晶硅需求量約為14873噸，這樣全球太陽能電池用多晶硅的市場缺口達(dá)4424噸。2005年半導(dǎo)體用多晶硅短缺6000噸，加上太陽能用多晶硅缺口4424噸，合計10424噸，供給嚴(yán)重不足，導(dǎo)致全球多晶硅價格上漲。目前多晶硅市場的持續(xù)升溫，導(dǎo)致各生產(chǎn)廠商紛紛列出了擴產(chǎn)計劃，根據(jù)來自國際光伏組織的統(tǒng)計，至2008年全球多晶硅的產(chǎn)能將達(dá)49550噸，至2010年將達(dá)58800噸。預(yù)計到2010年全球多晶硅需求量將達(dá)85000噸，缺口26200噸。從長遠(yuǎn)來看，考慮到未來石化能源的短缺和各國對太陽能產(chǎn)業(yè)的大力支持，需求將持續(xù)增長。根據(jù)歐洲光伏工業(yè)聯(lián)合會的2010年各國光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展計劃預(yù)計，屆時全球光伏產(chǎn)量將達(dá)到15GW（1GW=1000MW），設(shè)想其中60%使用多晶硅為原材料，如果技術(shù)進(jìn)步每MW消耗10噸多晶硅，保守估計全球至少需要太陽能多晶硅5萬噸以上。 我國多晶硅工業(yè)起步于五、六十年代中期，生產(chǎn)廠多達(dá)20余家，生由于生產(chǎn)技術(shù)難度大，生產(chǎn)規(guī)模小，工藝技術(shù)落后，環(huán)境污染嚴(yán)重，耗能大，成本高，絕大部分企業(yè)虧損而相繼停產(chǎn)和轉(zhuǎn)產(chǎn)，到1996年僅剩下四家，即峨眉半導(dǎo)體材料廠（所），洛陽單晶硅廠、天原化工廠和棱光實業(yè)公司，合計當(dāng)年產(chǎn)量為102.2噸，產(chǎn)能與生產(chǎn)技術(shù)都與國外有較大的差距。 1995年后，棱光實業(yè)公司和重慶天原化工廠相繼停產(chǎn)?，F(xiàn)在國內(nèi)主要多晶硅生產(chǎn)廠商有洛陽中硅高科技公司、四川峨眉半導(dǎo)體廠和四川新光硅業(yè)公司、到2005年底，洛陽中硅高科技公司300噸生產(chǎn)線已正式投產(chǎn)，二期擴建1000噸多晶硅生產(chǎn)線也同時破土動工，河南省計劃將其擴建到3000噸規(guī)模，建成國內(nèi)最大的硅產(chǎn)業(yè)基地。四川峨眉半導(dǎo)體材料廠（所）是國內(nèi)最早擁有多晶硅生產(chǎn)技術(shù)的企業(yè)，2005年太陽能電池用戶投資，擴產(chǎn)的220噸多晶硅生產(chǎn)線將于2006年上半年投產(chǎn)，四川新光硅業(yè)公司實施的1000噸多晶硅生產(chǎn)線正在加快建設(shè)，計劃在2006年底投產(chǎn)，此外，云南、揚州、上海、黑河、錦州、青海、內(nèi)蒙、宜昌、廣西、重慶、遼寧、邯鄲、保定、浙江等地也有建生產(chǎn)線設(shè)想。 三、行業(yè)發(fā)展的主要問題 同國際先進(jìn)水平相比，國內(nèi)多晶硅生產(chǎn)企業(yè)在產(chǎn)業(yè)化方面的差距主要表現(xiàn)在以下幾個方面： 1、產(chǎn)能低，供需矛盾突出。2005年中國太陽能用單晶硅企業(yè)開工率在20％－30％，半導(dǎo)體用單晶硅企業(yè)開工率在80％－90％，無法實現(xiàn)滿負(fù)荷生產(chǎn)，多晶硅技術(shù)和市場仍牢牢掌握在美、日、德國的少數(shù)幾個生產(chǎn)廠商中，嚴(yán)重制約我國產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 2、生產(chǎn)規(guī)模小、現(xiàn)在公認(rèn)的最小經(jīng)濟規(guī)模為1000噸/年，最佳經(jīng)濟規(guī)模在2500噸/年，而我國現(xiàn)階段多晶硅生產(chǎn)企業(yè)離此規(guī)模仍有較大的距離。 3、工藝設(shè)備落后，同類產(chǎn)品物料和電力消耗過大，三廢問題多，與國際水平相比，國內(nèi)多晶硅生產(chǎn)物耗能耗高出1倍以上，產(chǎn)品成本缺乏競爭力。 4、千噸級工藝和設(shè)備技術(shù)的可靠性、先進(jìn)性、成熟性以及各子系統(tǒng)的相互匹配性都有待生產(chǎn)運行驗證，并需要進(jìn)一步完善和改進(jìn)。 5、國內(nèi)多晶硅生產(chǎn)企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新能力不強，基礎(chǔ)研究資金投入太少，尤其是非標(biāo)設(shè)備的研發(fā)制造能力差。 6、地方政府和企業(yè)項目投資多晶硅項目，存在低水平重復(fù)建設(shè)的隱憂。 四、行業(yè)發(fā)展的對策與建議 1、發(fā)展壯大我國多晶硅產(chǎn)業(yè)的市場條件已經(jīng)基本具備、時機已經(jīng)成熟，國家相關(guān)部門加大對多晶硅產(chǎn)業(yè)技術(shù)研發(fā)，科技創(chuàng)新、工藝完善、項目建設(shè)的支持力度，抓住有利時機發(fā)展壯大我國的多晶硅產(chǎn)業(yè)。 2、支持最具條件的改良西門子法共性技術(shù)的實施，加快突破千噸級多晶硅產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)，形成從材料生產(chǎn)工藝、裝備、自動控制、回收循環(huán)利用的多晶硅產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線，材料性能接近國際同類產(chǎn)品指標(biāo)；建成節(jié)能、低耗、環(huán)保、循環(huán)、經(jīng)濟的多晶硅材料生產(chǎn)體系，提高我們多晶硅在國際上的競爭力。 3、依托高校以及研究院所，加強新一代低成本工藝技術(shù)基礎(chǔ)性及前瞻性研究，建立低成本太陽能及多晶硅研究開發(fā)的知識及技術(shù)創(chuàng)新體系，獲得具有自主知識產(chǎn)權(quán)的生產(chǎn)工藝和技術(shù)。 4、政府主管部門加強宏觀調(diào)控與行業(yè)管理，避免低水平項目的重復(fù)投資建設(shè)，保證產(chǎn)業(yè)的有序、可持續(xù)發(fā)展。 我國從事半導(dǎo)體硅材料生產(chǎn)企業(yè)概況: 我國從事半導(dǎo)體硅材料生產(chǎn)的企業(yè)總共40余家.截止06年銷售額超過一億元的企業(yè)已達(dá)17家. 1,河北寧晉單晶硅基地 2,有研半導(dǎo)體材料股份公司 3,洛陽單晶硅有限責(zé)任公司/洛陽中硅高科技有限公司 4,無錫華潤華晶微電子有限公司 5,寧波立立電子股份有限公司 6,上海合晶硅材料有限公司 7,上海申和熱磁公司 8,娥眉半導(dǎo)體材料廠 9,杭州海納半導(dǎo)體有限公司 10,萬向硅峰電子股份有限公司 11,錦州新日硅材料(華昌電子材料/華日硅)公司 12,天津環(huán)歐半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 13,常州億晶電子科技有限公司 14,常州天合光能有限公司 15,江蘇順大半導(dǎo)體發(fā)展有限公司 16,新疆新能源股份有限公司 17,南京國盛電子有限公司 這些企業(yè)中供應(yīng)半導(dǎo)體硅拋光片的有寧波立立電子股份有限公司、有研半導(dǎo)體材料股份公司、無錫華潤華晶微電子有限公司、上海合晶硅材料有限公司、上海申和熱磁公司等-----changaiyin 單多晶硅國內(nèi)含稅價格 單晶硅棒2600元/公斤,多晶硅棒2400元/公斤-----changaiyin ---------------------------------------------------------------- 江西賽維LDK太陽能高科技有限公司是目前亞洲規(guī)模最大的太陽能多晶硅片生產(chǎn)企業(yè)。工廠坐落于江西省新余市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)，專注于太陽能多晶硅鑄錠及多晶硅片研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的高新技術(shù)光伏企業(yè)，擁有國際最先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備。公司注冊資金11095萬美元，總投資近3億美元。2006年4月份投產(chǎn)， 7月份產(chǎn)能達(dá)到100兆瓦，8月份入選“RED HERRING亞洲百強企業(yè)”，10月份產(chǎn)能達(dá)到200兆瓦，被國際專業(yè)人士稱為“LDK速度奇跡”。榮獲“2006年中國新材料產(chǎn)業(yè)最具成長性企業(yè)”稱號。 目前公司正致力于發(fā)展成為一個“世界級光伏企業(yè)”。 2007年6月1日，賽維LDK成功在美國紐約證交所上市，成為中國企業(yè)歷史上在美國單一發(fā)行最大的一次IPO；賽維LDK是江西省企業(yè)有史以來第一次在美國上市的企業(yè)，是中國新能源領(lǐng)域最大的一次IPO。 該公司1.5萬噸硅料項目近日已在江西省新余市正式啟動，該項目總固定資產(chǎn)投資120億元以上，預(yù)計將成為目前全球太陽能領(lǐng)域單個投資額最多、產(chǎn)能設(shè)計規(guī)模最大的項目之一。 　　據(jù)悉，該項目計劃首期在2008年底前建成投產(chǎn)，形成6000噸太陽能級硅料的年生產(chǎn)能力；2009年項目全部建成投產(chǎn)后，將形成1.5萬噸產(chǎn)能，從而使該公司成為世界主要的太陽能多晶硅原料生產(chǎn)企業(yè)。 　　當(dāng)?shù)赜嘘P(guān)人士表示，該項目的實施，不僅可以有效緩解國內(nèi)光伏行業(yè)發(fā)展中遭遇的原料短缺等瓶頸制約，而且可以有力提升我國光伏產(chǎn)業(yè)的綜合競爭力。 國際多晶硅主要技術(shù)特征有以下兩點： （1）多種生產(chǎn)工藝路線并存，產(chǎn)業(yè)化技術(shù)封鎖、壟斷局面不會改變。由于各多晶硅生產(chǎn)工廠所用主輔原料不盡相同，因此生產(chǎn)工藝技術(shù)不同；進(jìn)而對應(yīng)的多晶硅產(chǎn)品技術(shù)經(jīng)濟指標(biāo)、產(chǎn)品質(zhì)量指標(biāo)、用途、產(chǎn)品檢測方法、過程安全等方面也存在差異，各有技術(shù)特點和技術(shù)秘密，總的來說，目前國際上多晶硅生產(chǎn)主要的傳統(tǒng)工藝有：改良西門子法、硅烷法和流化床法。其中改良西門子工藝生產(chǎn)的多晶硅的產(chǎn)能約占世界總產(chǎn)能的80％，短期內(nèi)產(chǎn)業(yè)化技術(shù)壟斷封鎖的局面不會改變。 （2）新一代低成本多晶硅工藝技術(shù)研究空前活躍。除了傳統(tǒng)工藝（電子級和太陽能級兼容）及技術(shù)升級外，還涌現(xiàn)出了幾種專門生產(chǎn)太陽能級多晶硅的新工藝技術(shù)，主要有：改良西門子法的低價格工藝；冶金法從金屬硅中提取高純度硅；高純度SiO2直接制??；熔融析出法（VLD：Vaper to liquid deposition）；還原或熱分解工藝；無氯工藝技術(shù)，Al－Si溶體低溫制備太陽能級硅；熔鹽電解法等。 二、國內(nèi)多晶硅產(chǎn)業(yè)概況 我國集成電路的增長，硅片生產(chǎn)和太陽能電池產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，大大帶動多晶硅材料的增長。 太陽能電池用多晶硅按每生產(chǎn)1MW多晶硅太陽能電池需要11－12噸多晶硅計算，我國2004年多晶、單晶太陽能電池產(chǎn)量為48.45MW，多晶硅用量為678噸左右，而實際產(chǎn)能已達(dá)70MW左右，多晶硅缺口達(dá)250噸以上。 到2005年底國內(nèi)太陽能電池產(chǎn)能達(dá)到300MW，實際能形成的產(chǎn)量約為110MW，需要多晶硅1400噸左右，預(yù)測到2010年太陽能電池產(chǎn)量達(dá)300MW，需要多晶硅保守估計約4200噸，因此太陽能電池的生產(chǎn)將大大帶動多晶硅需求的增加，見表3。 2005年中國太陽能電池用單晶硅企業(yè)開工率在20％－30％，半導(dǎo)體用單晶硅企業(yè)開工率在80％－90％，都不能滿負(fù)荷生產(chǎn)，主要原因是多晶硅供給量不足所造成的。預(yù)計多晶硅生產(chǎn)企業(yè)擴產(chǎn)后的產(chǎn)量，仍然滿足不了快速增長的需要。 我國多晶硅工業(yè)起步于五、六十年代中期，生產(chǎn)廠多達(dá)20余家，生由于生產(chǎn)技術(shù)難度大，生產(chǎn)規(guī)模小，工藝技術(shù)落后，環(huán)境污染嚴(yán)重，耗能大，成本高，絕大部分企業(yè)虧損而相繼停產(chǎn)和轉(zhuǎn)產(chǎn)，到1996年僅剩下四家，即峨眉半導(dǎo)體材料廠（所），洛陽單晶硅廠、天原化工廠和棱光實業(yè)公司，合計當(dāng)年產(chǎn)量為102.2噸，產(chǎn)能與生產(chǎn)技術(shù)都與國外有較大的差距。 1995年后，棱光實業(yè)公司和重慶天原化工廠相繼停產(chǎn)?，F(xiàn)在國內(nèi)主要多晶硅生產(chǎn)廠商有洛陽中硅高科技公司、四川峨眉半導(dǎo)體廠和四川新光硅業(yè)公司、到2005年底，洛陽中硅高科技公司300噸生產(chǎn)線已正式投產(chǎn)，二期擴建1000噸多晶硅生產(chǎn)線也同時破土動工，河南省計劃將其擴建到3000噸規(guī)模，建成國內(nèi)最大的硅產(chǎn)業(yè)基地。四川峨眉半導(dǎo)體材料廠（所）是國內(nèi)最早擁有多晶硅生產(chǎn)技術(shù)的企業(yè)，2005年太陽能電池用戶投資，擴產(chǎn)的220噸多晶硅生產(chǎn)線將于2006年上半年投產(chǎn)，四川新光硅業(yè)公司實施的1000噸多晶硅生產(chǎn)線正在加快建設(shè)，計劃在2006年底投產(chǎn)，此外，云南、揚州、上海、黑河、錦州、青海、內(nèi)蒙、宜昌、廣西、重慶、遼寧、邯鄲、保定、浙江等地也有建生產(chǎn)線設(shè)想。 三、行業(yè)發(fā)展的主要問題 同國際先進(jìn)水平相比，國內(nèi)多晶硅生產(chǎn)企業(yè)在產(chǎn)業(yè)化方面的差距主要表現(xiàn)在以下幾個方面： 1、產(chǎn)能低，供需矛盾突出。2005年中國太陽能用單晶硅企業(yè)開工率在20％－30％，半導(dǎo)體用單晶硅企業(yè)開工率在80％－90％，無法實現(xiàn)滿負(fù)荷生產(chǎn)，多晶硅技術(shù)和市場仍牢牢掌握在美、日、德國的少數(shù)幾個生產(chǎn)廠商中，嚴(yán)重制約我國產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 2、生產(chǎn)規(guī)模小、現(xiàn)在公認(rèn)的最小經(jīng)濟規(guī)模為1000噸/年，最佳經(jīng)濟規(guī)模在2500噸/年，而我國現(xiàn)階段多晶硅生產(chǎn)企業(yè)離此規(guī)模仍有較大的距離。 3、工藝設(shè)備落后，同類產(chǎn)品物料和電力消耗過大，三廢問題多，與國際水平相比，國內(nèi)多晶硅生產(chǎn)物耗能耗高出1倍以上，產(chǎn)品成本缺乏競爭力。 4、千噸級工藝和設(shè)備技術(shù)的可靠性、先進(jìn)性、成熟性以及各子系統(tǒng)的相互匹配性都有待生產(chǎn)運行驗證，并需要進(jìn)一步完善和改進(jìn)。 5、國內(nèi)多晶硅生產(chǎn)企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新能力不強，基礎(chǔ)研究資金投入太少，尤其是非標(biāo)設(shè)備的研發(fā)制造能力差。 6、地方政府和企業(yè)項目投資多晶硅項目，存在低水平重復(fù)建設(shè)的隱憂。 四、行業(yè)發(fā)展的對策與建議 1、發(fā)展壯大我國多晶硅產(chǎn)業(yè)的市場條件已經(jīng)基本具備、時機已經(jīng)成熟，國家相關(guān)部門加大對多晶硅產(chǎn)業(yè)技術(shù)研發(fā)，科技創(chuàng)新、工藝完善、項目建設(shè)的支持力度，抓住有利時機發(fā)展壯大我國的多晶硅產(chǎn)業(yè)。 2、支持最具條件的改良西門子法共性技術(shù)的實施，加快突破千噸級多晶硅產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)，形成從材料生產(chǎn)工藝、裝備、自動控制、回收循環(huán)利用的多晶硅產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線，材料性能接近國際同類產(chǎn)品指標(biāo)；建成節(jié)能、低耗、環(huán)保、循環(huán)、經(jīng)濟的多晶硅材料生產(chǎn)體系，提高我們多晶硅在國際上的競爭力。 3、依托高校以及研究院所，加強新一代低成本工藝技術(shù)基礎(chǔ)性及前瞻性研究，建立低成本太陽能及多晶硅研究開發(fā)的知識及技術(shù)創(chuàng)新體系，獲得具有自主知識產(chǎn)權(quán)的生產(chǎn)工藝和技術(shù)。 4、政府主管部門加強宏觀調(diào)控與行業(yè)管理，避免低水平項目的重復(fù)投資建設(shè)，保證產(chǎn)業(yè)的有序、可持續(xù)發(fā)展。 下面是單晶硅和多晶硅的一點資料 ： 多晶硅是生產(chǎn)單晶硅的直接原料，是當(dāng)代人工智能、自動控制、信息處理、光電轉(zhuǎn)換等半導(dǎo)體器件的電子信息基礎(chǔ)材料。被稱為“微電子大廈的基石”。 在太陽能利用上，單晶硅和多晶硅也發(fā)揮著巨大的作用。雖然從目前來講，要使太陽能發(fā)電具有較大的市場，被廣大的消費者接受，就必須提高太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率，降低生產(chǎn)成本。從目前國際太陽電池的發(fā)展過程可以看出其發(fā)展趨勢為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。 從工業(yè)化發(fā)展來看，重心已由單晶向多晶方向發(fā)展，主要原因為；[1]可供應(yīng)太陽電池的頭尾料愈來愈少；[2] 對太陽電池來講，方形基片更合算，通過澆鑄法和直接凝固法所獲得的多晶硅可直接獲得方形材料；[3]多晶硅的生產(chǎn)工藝不斷取得進(jìn)展，全自動澆鑄爐每生產(chǎn)周期（50小時）可生產(chǎn)200公斤以上的硅錠，晶粒的尺寸達(dá)到厘米級；[4]由于近十年單晶硅工藝的研究與發(fā)展很快，其中工藝也被應(yīng)用于多晶硅電池的生產(chǎn)，例如選擇腐蝕發(fā)射結(jié)、背表面場、腐蝕絨面、表面和體鈍化、細(xì)金屬柵電極，采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)可使柵電極的寬度降低到50微米，高度達(dá)到15微米以上，快速熱退火技術(shù)用于多晶硅的生產(chǎn)可大大縮短工藝時間，單片熱工序時間可在一分鐘之內(nèi)完成，采用該工藝在100平方厘米的多晶硅片上作出的電池轉(zhuǎn)換效率超過14％。據(jù)報道，目前在50～60微米多晶硅襯底上制作的電池效率超過16％。利用機械刻槽、絲網(wǎng)印刷技術(shù)在100平方厘米多晶上效率超過17％，無機械刻槽在同樣面積上效率達(dá)到16％，采用埋柵結(jié)構(gòu)，機械刻槽在130平方厘米的多晶上電池效率達(dá)到15.8％ 單晶硅和多晶硅的區(qū)別是，當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時,硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅。如果這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則形成多晶硅。多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。例如在力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面，多晶硅均不如單晶硅。多晶硅可作為拉制單晶硅的原料。單晶硅可算得上是世界上最純凈的物質(zhì)了，一般的半導(dǎo)體器件要求硅的純度六個9以上。大規(guī)模集成電路的要求更高，硅的純度必須達(dá)到九個9。目前，人們已經(jīng)能制造出純度為十二個9 的單晶硅。單晶硅是電子計算機、自動控制系統(tǒng)等現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)中不可缺少的基本材料。 推薦給你一個半導(dǎo)體技術(shù)專業(yè)網(wǎng)站,中國半導(dǎo)體網(wǎng)http://www.zgzo.com/