單晶的少子壽命與原生多晶硅檢測(cè)出來(lái)的少子壽命有什么關(guān)系？

【專(zhuān)家解說(shuō)】：um（微米）是長(zhǎng)度單位，是指少子的擴(kuò)散長(zhǎng)度；少子壽命的單位是us（微秒） 少子擴(kuò)散長(zhǎng)度和少子壽命基本上是等同的，一個(gè)是指能“跑多遠(yuǎn)”，一個(gè)是指能“活多久”，表述不同而已 少子壽命是越大越好，就目前的太陽(yáng)能級(jí)硅來(lái)說(shuō)能有5us已經(jīng)不錯(cuò)了，如果太低（如小于1us）將嚴(yán)重影響電池效率。現(xiàn)在太陽(yáng)能企業(yè)要求越來(lái)越高,多晶要求大于2,單晶要求大于10。 處于熱平衡狀態(tài)下的半導(dǎo)體，在一定溫度下，載流子的濃度是一定的，稱(chēng)為平衡載流子濃度, 如果對(duì)半導(dǎo)體施加外界作用,破壞了熱平衡的條件，稱(chēng)為非平衡狀態(tài)。比平衡狀態(tài)多出來(lái)的這部分載流子稱(chēng)為非平衡載流子。非平衡載流子分為非平衡多數(shù)載流子和非平衡少數(shù)載流子, 對(duì)于n型半導(dǎo)體材料，多出來(lái)的電子就是非平衡多數(shù)載流子,空穴則是非平衡少數(shù)載流子。對(duì)p型半導(dǎo)體材料則相反, 產(chǎn)生非平衡載流子的外界作用撤除以后，它們要逐漸衰減以致消失，最后載流子濃度恢復(fù)到平衡時(shí)的值, 非平衡少數(shù)載流子的平均生存時(shí)間稱(chēng)為非平衡少數(shù)載流子的壽命,簡(jiǎn)稱(chēng)少子壽命。 一、單晶硅少子壽命測(cè)試儀產(chǎn)品介紹： 1、 可測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無(wú)需拋光，直接對(duì)切割面或研磨面進(jìn)行測(cè)量。同時(shí)可測(cè)量多晶硅檢驗(yàn)棒及集成電路、整流器、晶體管級(jí)硅單晶的少子壽命。 2、 可測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對(duì)壽命，表面無(wú)需拋光、鈍化。 3、 配備專(zhuān)用軟件的數(shù)字示波器，液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時(shí)顯示動(dòng)態(tài)光電導(dǎo)衰退波形，并可聯(lián)用打印機(jī)及計(jì)算機(jī)。 4、 配置兩種波長(zhǎng)的紅外光源： a、紅外光源，光穿透硅晶體深度較深≥500μm，有利于準(zhǔn)確測(cè)量晶體少數(shù)載流子體壽命。 b、短波長(zhǎng)紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強(qiáng)較強(qiáng)，有利于測(cè)量低阻太陽(yáng)能級(jí)硅晶體。 二、單晶硅少子壽命測(cè)試儀測(cè)量范圍可直接測(cè)量： a、研磨或切割面：電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對(duì)壽命。 b、拋光面：電阻率在0.3～0.01Ω•㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。 壽命可測(cè)范圍 0.25μS—10ms