誰(shuí)知道太陽(yáng)能電池詳細(xì)的生產(chǎn)工藝?
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時(shí)間:2024-08-17 08:42:20
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誰(shuí)知道太陽(yáng)能電池詳細(xì)的生產(chǎn)工藝?【專家解說(shuō)】:1、 硅片切割,材料準(zhǔn)備: 工業(yè)制作硅電池所用的單晶硅材料,一般采用坩鍋直拉法制的太陽(yáng)級(jí)單晶硅棒,原始的形狀為圓柱形,然后切割成方形硅
【專家解說(shuō)】:1、 硅片切割,材料準(zhǔn)備:
工業(yè)制作硅電池所用的單晶硅材料,一般采用坩鍋直拉法制的太陽(yáng)級(jí)單晶硅棒,原始的形狀為圓柱形,然后切割成方形硅片(或多晶方形硅片),硅片的邊長(zhǎng)一般為10~15cm,厚度約200~350um,電阻率約1Ω.cm的p型(全球節(jié)能環(huán)保網(wǎng)摻硼)。
2、 去除損傷層:
硅片在切割過(guò)程會(huì)產(chǎn)生大量的表面缺陷,這就會(huì)產(chǎn)生兩個(gè)問(wèn)題,首先表面的質(zhì)量較差,另外這些表面缺陷會(huì)在電池制造過(guò)程中導(dǎo)致碎片增多。因此要將切割損傷層去除,一般采用堿或酸腐蝕,腐蝕的厚度約10um。
3、 制絨:
制絨,就是把相對(duì)光滑的原材料硅片的表面通過(guò)酸或堿腐蝕,使其凸凹不平,變得粗糙,形成漫反射,減少直射到硅片表面的太陽(yáng)能的損失。對(duì)于單晶硅來(lái)說(shuō)一般采用NaOH加醇的方法腐蝕,利用單晶硅的各向異性腐蝕,在表面形成無(wú)數(shù)的金字塔結(jié)構(gòu),堿液的溫度約80度,濃度約1~2%,腐蝕時(shí)間約15分鐘。對(duì)于多晶來(lái)說(shuō),一般采用酸法腐蝕。
4、 擴(kuò)散制結(jié):
擴(kuò)散的目的在于形成PN結(jié)。普遍采用磷做n型摻雜。由于固態(tài)擴(kuò)散需要很高的溫度,因此在擴(kuò)散前硅片表面的潔凈非常重要,要求硅片在制絨后要進(jìn)行清洗,即用酸來(lái)中和硅片表面的堿殘留和金屬雜質(zhì)。
5、 邊緣刻蝕、清洗:
擴(kuò)散過(guò)程中,在硅片的周邊表面也形成了擴(kuò)散層。周邊擴(kuò)散層使電池的上下電極形成短路環(huán),必須將它除去。周邊上存在任何微小的局部短路都會(huì)使電池并聯(lián)電阻下降,以至成為廢品。目前,工業(yè)化生產(chǎn)用等離子干法腐蝕,在輝光放電條件下通過(guò)氟和氧交替對(duì)硅作用,去除含有擴(kuò)散層的周邊。
擴(kuò)散后清洗的目的是去除擴(kuò)散過(guò)程中形成的磷硅玻璃。
6、 沉積減反射層:
沉積減反射層的目的在于減少表面反射,增加折射率。廣泛使用PECVD淀積SiN ,由于PECVD淀積SiN時(shí),不光是生長(zhǎng)SiN作為減反射膜,同時(shí)生成了大量的原子氫,這些氫原子能對(duì)多晶硅片具有表面鈍化和體鈍化的雙重作用,可用于大批量生產(chǎn)。
7、 絲網(wǎng)印刷上下電極:
電極的制備是太陽(yáng)電池制備過(guò)程中一個(gè)至關(guān)重要的步驟,它不僅決定了發(fā)射區(qū)的結(jié)構(gòu),而且也決定了電池的串聯(lián)電阻和電池表面被金屬覆蓋的面積。最早采用真空蒸鍍或化學(xué)電鍍技術(shù),而現(xiàn)在普遍采用絲網(wǎng)印刷法,即通過(guò)特殊的印刷機(jī)和模版將銀漿鋁漿(銀鋁漿)印刷在太陽(yáng)電池的正背面,以形成正負(fù)電極引線。
8、 共燒形成金屬接觸:
晶體硅太陽(yáng)電池要通過(guò)三次印刷金屬漿料,傳統(tǒng)工藝要用二次燒結(jié)才能形成良好的帶有金屬電極歐姆接觸,共燒工藝只需一次燒結(jié),同時(shí)形成上下電極的歐姆接觸。在太陽(yáng)電池絲網(wǎng)印刷電極制作中,通常采用鏈?zhǔn)綗Y(jié)爐進(jìn)行快速燒結(jié)。
9、 電池片測(cè)試:
完成的電池片經(jīng)過(guò)測(cè)試分檔進(jìn)行歸類。
熱門標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池 工藝
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