中國(guó)科技大學(xué)目前提交硒技術(shù)專利多少項(xiàng)?

【專家解說】：總共三項(xiàng)相關(guān)專利 申請(qǐng)?zhí)枺?CN200910236574.8 申請(qǐng)日： 2009.10.26 公開(公告)號(hào)： CN101700871A 公開(公告)日： 2010.05.05 申請(qǐng)(專利權(quán))人： 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) 分類號(hào)： B82B3/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 優(yōu)先權(quán)： 摘要：本發(fā)明公開一種銅銦硒納米線陣列及其制備方法。本發(fā)明是在玻璃或硅片基底上制備金屬電極層后，利用有序納米模板做生長(zhǎng)掩膜在襯底上的金屬電極上電沉積制備有序的納米線結(jié)構(gòu)銅銦硒P型吸收層材料陣列。并通過化學(xué)腐蝕或物理刻蝕的方法從上至下部分去除模板，露出納米線陣列，該陣列可用于制備具有光電轉(zhuǎn)換性能的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池。 申請(qǐng)?zhí)枺?CN201010211713.4 申請(qǐng)日： 2010.06.21 公開(公告)號(hào)： CN102054899A 公開(公告)日： 2011.05.11 申請(qǐng)(專利權(quán))人： 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) 分類號(hào)： H01L31/18(2006.01)I 優(yōu)先權(quán)： 摘要：本 發(fā)明公開了一種制備CuInSe2薄膜的方法。該方法，包括如下步驟：1)將銅鹽和銦鹽溶于有機(jī)溶劑中后，加入硝酸水溶液混勻，再加入乙醇胺進(jìn)行反應(yīng)，至 反應(yīng)體系的pH值為6時(shí)反應(yīng)完畢，密封保溫后得到前驅(qū)體溶膠；2)將所述前驅(qū)體溶膠成膜，干燥后在氫氣氣氛中進(jìn)行還原，所述還原反應(yīng)完畢冷卻至室溫后再與硒粉進(jìn)行硒化反應(yīng)，反應(yīng)完畢冷卻至室溫后得到所述CuInSe2薄膜。該方法簡(jiǎn)單可行，成本低，所得薄膜質(zhì)量高，是一種應(yīng)用于大規(guī)模低成本的銅銦硒薄膜太陽(yáng)能電池有效方法。 申請(qǐng)?zhí)枺?CN200910236576.7 申請(qǐng)日： 2009.10.26 公開(公告)號(hào)： CN101700872A 公開(公告)日： 2010.05.05 申請(qǐng)(專利權(quán))人： 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) 分類號(hào)： B82B3/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 優(yōu)先權(quán)： 摘要：本發(fā)明公開一種銅銦鎵硒納米線陣列及其制備方法。本發(fā)明是在玻璃或硅片基底上制備金屬電極層后，利用有序納米模板做生長(zhǎng)掩膜在襯底上的金屬電極上電沉積制備有序的納米線結(jié)構(gòu)銅銦鎵硒P型吸收層材料陣列。并通過化學(xué)腐蝕或物理刻蝕的方法從上至下部分去除模板，露出納米線陣列，該陣列可用于與N型窗口層及金屬電極組成具有光電轉(zhuǎn)換性能的異質(zhì)結(jié)。該銅銦鎵硒納米線陣列適用于高效率、低成本太陽(yáng)能電池的制備。