微電子工業(yè)中化合物A作為半導(dǎo)體、液晶和薄膜太陽(yáng)能電池等生產(chǎn)過(guò)程中的蝕刻劑．在對(duì)硅、氮化硅等材料進(jìn)行

【專家解說(shuō)】：①化合物A由兩種元素組成，常溫下是一種無(wú)色、無(wú)臭的氣體，能助燃，分解成兩種氣體單質(zhì)，同溫同壓下氣體A相對(duì)于某常見(jiàn)黃綠色氣態(tài)單質(zhì)的相對(duì)密度為1，黃綠色氣體為氯氣，則A的相對(duì)分子質(zhì)量為71；
③B、D的分子具有相同的電子總數(shù)，且均極易溶于水，D的水溶液顯酸性常用來(lái)作玻璃雕刻的腐蝕液，則D為HF，B為NH3；
②化合物B與單質(zhì)C在一定條件下反應(yīng)生成化合物A及化合物D，常溫下A、B、C、D均為氣體，即NH3+C→A+HF，由元素守恒可知，C為F2，結(jié)合A的相對(duì)分子質(zhì)量，可推知A為NF3；
④F2與水反應(yīng)生成HF溶液及氣體單質(zhì)F為O2；而NF3與水反應(yīng)則生成兩種酸溶液及一種氣態(tài)氧化物E（無(wú)色、有毒、難溶于水），則應(yīng)生成HF、HNO3、NO，即E為NO，
（1）化合物B為NH3，結(jié)構(gòu)式是，NH3溶于水并發(fā)生電離的過(guò)程為：NH3+H2ONH3?H2ONH4++OH-，
故答案為：； NH3+H2ONH3?H2ONH4++OH-；
（2）NF3分子中N為+3價(jià)，有較強(qiáng)氧化性，故氣體A的應(yīng)遠(yuǎn)離火種且與還原劑、易燃或可燃物等分開存放，
故答案為：NF3分子中N為+3價(jià)，有較強(qiáng)氧化性；
（3）以NF3對(duì)氮化硅（Si3N4）材料的蝕刻，被蝕刻物表面不留任何殘留物，說(shuō)明生成氣體，故應(yīng)生成氮?dú)馀c四氟化硅，反應(yīng)方程式為：4NF3+Si3N4=4N2↑+3SiF4↑，
故答案為：4NF3+Si3N4=4N2↑+3SiF4↑；
（4）④中生成的氣態(tài)氧化物NO標(biāo)況下為448mL，其物質(zhì)的量=0.448L22.4L/mol=0.02mol，生成兩種酸溶液中作為氧化產(chǎn)物的那種酸為硝酸，根據(jù)電子轉(zhuǎn)移守恒，則生成硝酸的物質(zhì)的量=0.02mol×(3?2)5?3=0.01mol，
故答案為：0.01mol；
（5）實(shí)驗(yàn)證明HF是一種弱電解質(zhì)的方案為：向NaF溶液中加入酚酞，溶液呈紅色，說(shuō)明NaF溶液呈堿性，則HF為弱電解質(zhì)，
故答案為：向NaF溶液中加入酚酞，溶液呈紅色，說(shuō)明NaF溶液呈堿性，則HF為弱電解質(zhì)．