關(guān)于晶圓污染請(qǐng)達(dá)人指教

【專家解說(shuō)】：諸如微小顆粒、金屬碎片、水印等表面污染物和Si/SiO2的損壞，將會(huì)對(duì)新一代器件的產(chǎn)量帶來(lái)非常大的危害和沖擊。ITRS對(duì)晶圓上面的表面污染物提出了非常嚴(yán)格的要求，這同樣也對(duì)表面處理技術(shù)提出了新的挑戰(zhàn)。為了能夠滿足ITRS所提出的要求和克服其所提出的新挑戰(zhàn)，需要采用新的工藝流程和技術(shù)。 關(guān)于污染，我們主要關(guān)心有機(jī)污染、顆粒污染以及金屬離子污染。經(jīng)過(guò)硫酸雙氧水混合試劑（SPM）或硫酸臭氧混合試劑（SOM）處理，大部分的有機(jī)物都能夠被去除。依靠一號(hào)標(biāo)準(zhǔn)清洗試劑（SC1）能夠去除顆粒，而二號(hào)標(biāo)準(zhǔn)清洗試劑（SC2）可以去除金屬離子。這些都是常用手段，即便在一些情況下存在金屬離子與顆粒的交叉情況，仍然能夠依靠一號(hào)標(biāo)準(zhǔn)清洗試劑 濕式清洗與潤(rùn)濕制程的超純水用量約占半導(dǎo)體廠超純水用量的60％，如果能利用干式技術(shù)取代濕式清洗制程，則可因超純水用量減低節(jié)省許多經(jīng)費(fèi)，由于上述種種原因，為適合于未來(lái)深次微米制程，且減低超純水及化學(xué)藥品的用量，半導(dǎo)體工業(yè)的確急須研發(fā)一種新式的晶圓清洗替代技術(shù)，以因應(yīng)下一世代更精細(xì)的制程需求，也因此促使干式清洗法漸受到重視 超純水系統(tǒng)系利用離子交換樹(shù)脂設(shè)備來(lái)純化水質(zhì)提供晶圓(wafer)生產(chǎn)洗凈用水，因離子交換樹(shù)脂運(yùn)轉(zhuǎn)到達(dá)一段時(shí)間后需使用化學(xué)藥劑及大量洗凈水再生。建立回收水處理技術(shù)來(lái)降低晶圓生產(chǎn)所需消耗的水量，解決超純水系統(tǒng)再生廢水量及水資源缺乏的問(wèn)題，一般晶圓廠超純水系統(tǒng)再生廢水多與晶圓生產(chǎn)的制程廢水經(jīng)處理系統(tǒng)處理合格后排放至園區(qū)污水廠，超純水系統(tǒng)再生廢水回收設(shè)備應(yīng)用于晶圓廠超純水系統(tǒng)再生廢水回收設(shè)備，減少超純水系統(tǒng)再生廢水排放量，每天平均回收200噸以上廢水經(jīng)處理再利用以減少其排放量。系統(tǒng)設(shè)備已有效地回收再利用以解決現(xiàn)今晶圓廠超純水系統(tǒng)產(chǎn)生大量再生廢水的問(wèn)題，符合減廢回收的環(huán)保政策。