電池制作廠能否利用廢電池再制造新的電池啊

【專家解說】：高效單晶硅太陽電池工藝流程如下： 1)去除損傷層 2)表面絨面化 3)發(fā)射區(qū)擴(kuò)散 4)邊緣結(jié)刻蝕 5)PECDV沉積SiN 6)絲網(wǎng)印刷正背面電極漿料 7)共燒形成金屬接觸 8)電池片測試。 硅片采用0.5~2Ω.cm，P型晶向為（100）的單晶硅片。利用氫氧化鈉溶液對單晶硅片進(jìn)行各向異性腐蝕的特點(diǎn)來制備絨面。當(dāng)各向異性因子=10時（所謂各向異性因子就是（100）面與（111）面單晶硅腐蝕速率之比），可以得到整齊均勻的金字塔形的角錐體組成的絨面。絨面具有受光面積大，反射率低的特點(diǎn)。可提高單晶硅太陽電池的短路電流，從而提高太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率。 金字塔形角錐體的表面積S0等于四個邊長為a正三角形S之和 S0 = 4S = 4×a×a = a2 由此可見有絨面的受光面積比光面提高了倍即1.732倍。 當(dāng)一束強(qiáng)度為E0的光投射到圖中的A點(diǎn)，產(chǎn)生反射光Φ1和進(jìn)入硅中的折射光Φ2。反射光Φ1可以繼續(xù)投射到另一方錐的B點(diǎn)，產(chǎn)生二次反射光Φ3和進(jìn)入半導(dǎo)體的折射光Φ4；而對光面電池就不產(chǎn)生這第二次的入射。經(jīng)計算可知還有11%的二次反射光可能進(jìn)行第三次反射和折射，由此可算得絨面的反射率為9.04%。 2.發(fā)射區(qū)擴(kuò)散： 采用三氯氧磷氣體攜帶源方式，這個工藝的特點(diǎn)是生產(chǎn)高，有利于降低成本。新購的8吋硅片擴(kuò)散爐、石英管口徑達(dá)270mm，可以擴(kuò)散156×156（mm）的硅片。 由于石英管口徑大，恒溫區(qū)長，提高了擴(kuò)散薄層電阻均勻性，有利于降低太陽電池的串聯(lián)電阻Rs，從而提高太陽電池填充因子FF。 3.SiN鈍化與APCVD淀積TiO2： 先期的地面用高效單晶硅太陽電池一般采用鈍化發(fā)射區(qū)太陽電池(PESC)工藝。在擴(kuò)散過去除磷硅玻的硅片上,熱氧化生長一層10nm~25nm厚SiO2為,使表面層非晶化,改變了表面層硅原子價鍵失配情況,使表面趨于穩(wěn)定,這樣減少了發(fā)射區(qū)表面復(fù)合,提高了太陽電池對藍(lán)光的響應(yīng),同時也增加了短路電流密度Jsc,由于減少了發(fā)射區(qū)表面復(fù)合,這樣也就減少了反向飽和電流密度,從而提高了太陽電池開路電壓Voc。還有如果沒有這層SiN,直接淀積TiO2薄膜,硅表面上會出現(xiàn)陷阱型的滯后現(xiàn)象導(dǎo)致太陽電池短路電流衰減,一般會衰減8%左右,從而降低光電轉(zhuǎn)換效率。故要先生長SiN鈍化再生長TiO2減反射膜。 TiO2減反射膜是用APCVD設(shè)備生長的,它通過鈦酸異丙脂與純水產(chǎn)生水解反應(yīng)來生長TiO2薄膜。 4.PECVD淀積SiN 多晶硅太陽電池廣泛使用PECVD淀積SiN ,由于PECVD淀積SiN時,不光是生長SiN作為減反射膜,同時生成了大量的原子氫,這些氫原子能對多晶硅片具有表面鈍化和體鈍化的雙重作用,可用于大批量生產(chǎn)高效多晶硅太陽電池,為上世紀(jì)末多晶硅太陽電池的產(chǎn)量超過單晶硅太陽電池立下汗馬功勞。隨著PECVD在多晶硅太陽電池成功,引起人們將PECVD用于單晶硅太陽電池作表面鈍化的愿望。 由于生成的氮化硅薄膜含有大量的氫,可以很好的鈍化硅中的位錯、表面懸掛鍵，從而提高了硅片中載流子遷移率，一般要提高20%左右，同時由于SiN薄膜對單晶硅表面有非常明顯鈍化作用。尚德公司的經(jīng)驗顯示，用PECVD SiN作為減反膜的單晶硅太陽電池效率較高于傳統(tǒng)的由APCVD TiO2作為減反膜單晶硅太陽電池                                        是這種電池嗎？      我手都打酸了啊!!!!