輝光功率對(duì)硅薄膜太陽(yáng)能電池串聯(lián)電阻的影響
輝光功率對(duì)硅薄膜太陽(yáng)能電池串聯(lián)電阻的影響【摘要】:采用RF-PECVD在不銹鋼襯底上制備了一系列NIP結(jié)構(gòu)的硅薄膜太陽(yáng)能電池,得到本征層的輝光功率分別是4W,7.2W,9W,20W
【關(guān)鍵詞】: 太陽(yáng)能電池 輝光功率 硅薄膜 滲流理論
【基金】:河南省基礎(chǔ)與前沿基礎(chǔ)研究項(xiàng)目(072300410310,092300410182) 南陽(yáng)市科技發(fā)展計(jì)劃資助項(xiàng)目(2005PT109) 河南省青年骨干教師資助計(jì)劃(2008755009)
【分類(lèi)號(hào)】:TM914.4
【正文快照】: 0前言基于太陽(yáng)能電池的單二極管等效電路模型,太陽(yáng)能電池有串聯(lián)電阻RS。串聯(lián)電阻的主要來(lái)源是制造電池的半導(dǎo)體材料的體電阻、電極及互聯(lián)金屬的電阻以及電極和半導(dǎo)體之間的接觸電阻。串聯(lián)電阻是硅基薄膜太陽(yáng)能電池的一個(gè)重要參數(shù),可起到減小填充因子的作用,很高的RS值還會(huì)減
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