Si(100)清潔表面吸附氫的功函數(shù)變化

【摘要】：正 半導(dǎo)體清潔表面存在各種形式的再構(gòu).在解釋這些再構(gòu)時,會提出許多不同的表面原子排列模型.為了判斷哪一種模型是正確的,除了測量低能電子衍射的Ⅰ-Ⅴ曲線及光電子能譜來同理論計算相比較外,從表面吸附氫以后原子結(jié)構(gòu)和光電子能譜的變化,也可對模型的正確性提供一些旁證.因而在半導(dǎo)體表面的研究中,氫在表面的吸附是一個很基本的課題. 【作者單位】： 復(fù)旦大學(xué)物理系 復(fù)旦大學(xué)物理系 復(fù)旦大學(xué)物理系
【關(guān)鍵詞】： 功函數(shù)變化 表面吸附 二聚化 非對稱 清潔表面 光電子能譜 氫化 費米能級 低能電子衍射 溫度系數(shù)
【正文快照】： 一引吉 、丫.卜J 半導(dǎo)體清潔表面存在各種形式的再構(gòu).在解釋這些再構(gòu)時,會提出許多不同的表面原子排列模型.為了判斷哪一種模型是正確的,除了測量低能電子衍射的卜V曲線及光電子能譜來同理論計算相比較外,從表面吸附氫以后原子結(jié)構(gòu)和光電子能譜的變化,也可對模型的正確性提供

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